3D NAND паметта достигна нови предели на плътността с 218-слойна

3D NAND паметта доближи нови лимити на плътността с 218-слойна разработка
(снимка: Kioxia)

Kioxia и Western Digital са създали чип 3D NAND флаш памет с 218 пласта и потенциал от 1 терабит, за който се твърди, че има най-голямата до момента компактност. Чиповете ще се създават както с 3-битови кафези (TLC), по този начин и с 4-битови (QLC).

Според двете компании, новите чипове имат най-високата компактност на битове в промишлеността на флаш паметите. Техни мостри към този момент са получени за тестване от стеснен кръг клиенти. Новата памет ще откри място в смарт телефони, интернет устройства и SSD дискове.

218-слойната 3D NAND памет принадлежи към осмо потомство на BiCS FLASH продуктите на Kioxia и Western Digital. Деветото потомство ще съдържа чипове с повече от 300 пласта.

Партньорите употребяват „ залепване ” на кристали, с цел да усилят броя на пластовете. Освен това клетъчният масив и контролерът се създават настрана и се сглобяват във отвесен стек в процеса на „ залепване ”.
още по темата
По-рано Kioxia и Western Digital интегрираха контролерите в клетъчните масиви. Китайската компания YMTC първа стартира да създава настрана контролерния чип по технологията Xtacking.

В случая с 218-слойната BiCS FLASH памет на Kioxia и Western Digital се употребява новаторската технология CBA (CMOS непосредствено обвързван към масив), при която контролерите и клетъчните масиви се създават на обособени пластини с оптимизация на всеки развой и се комбинират единствено след цялостна обработка.

Клетъчният масив към момента употребява „ четири обособени равнини ”, което разрешава ускорение на паметта, с помощта на паралелизма. Също по този начин, при производството на 218-слойната памет масивите са „ свити ” отвесно и хоризонтално. Именно това (по-точно страничното стесняване на клетките) прави допустимо увеличението на плътността на битовете с 50%.

В допълнение, продуктивността на паметта е увеличена с 60%, спрямо предходното потомство чипове. Това значи, че скоростта на работа при всеки контакт на шината за данни се е нараснала до 3,2 Gb/s.

Скоростта на запис е усъвършенствана с към 20%. Закъсненията при четене са понижени, което също ще има позитивно влияние върху продуктивността на новите 3D NAND чипове на Kioxia и Western Digital.

Като цяло тази памет ще бъде нова стъпка към основаване на по-производителни електронни устройства и приложения, които могат да се чакат на пазара до края на тази година.