... на процеси, по-малки от 14/16 nm, 3D NAND чипове с повече от 127 активни слоя и DRAM чипове с половин стъпка, по-малка от 18 nm.
Представен Литографски - Новини
... на процеси, по-малки от 14/16 nm, 3D NAND чипове с повече от 127 активни слоя и DRAM чипове с половин стъпка, по-малка от 18 nm.