Японският партньор Kioxia и американската SanDisk се готвят да представят

Японският сътрудник Kioxia и американската SanDisk се готвят да показват рекордна компактност на паметта на Международната конференция за твърдотелни схеми (ISSCC). Очаква се идната 3D QLC NAND памет да предложи компактност от 37,6 Gbit/mm², което подхожда на 4,7 GB/mm².

Инженерите на Kioxia и SanDisk ще показват отчет, озаглавен „ Двутерабитова 3D флаш-памет с четири бита на клетка, шестслойна архитектура, компактност от 37,6 Gb/mm² и скорост на запис над 85 MB/s “. Докладът евентуално ще се концентрира върху чиповете BiCS10 QLC в 332-слойно осъществяване —- това се удостоверява от съпоставяне с TLC разновидността на BiCS10, който с три бита на клетка дава изчислена компактност от 29,1 Gb/mm², или 33% по-ниска. Новият BiCS10 QLC, сходно на BiCS8 QLC, предлага до 2 Tb (256 GB) на кристал, само че с по-висока компактност, а потенциалът на чипа може да доближи 8 TB. SK hynix реализира сходен резултат със своя 321-слоен V9 QLC, само че корейският производител към момента не е дал надеждни данни по отношение на плътността. При компактност от 37,6 Gbit/mm² и потенциал от 2 Tbit, площта на кристала може да се пресметна на почти 55 mm².

Очаква се и нарастване на скоростта, защото версията BiCS10 TLC ще разполага с 4.8 Gbps интерфейс, спрямо едвам 3.6 Gbps при BiCS8. Шестслойната архитектура ще разреши на BiCS10 QLC да реализира скорости на запис над 85 MB/s – по-бавно от версията TLC, само че по-бързо от V9 QLC на SK hynix, който предлага 75 MB/s.

В актуалното потомство BiCS8, чиповете на Kioxia и SanDisk, макар релативно ниските 218 пласта, могат да се съревновават с съперниците си по компактност на данните и да предложат оптималната скорост. Достигайки 332 пласта, Kioxia и SanDisk ще се конкурират със Samsung V10, който дава обещание да доближи 400 пласта и даже 5,6 Gbps за V10 TLC.