В един от априлските броеве на списание Nature е поместена

В един от априлските броеве на списание Nature е поместена публикация на учени от Южна Корея, в която се разказва една доста обещаваща разработка.

Вляво е най-съвременнaта PCM, а вдясно – нова разработка.

Откритието може да се преглежда като откриването на „ Светия Граал “ в региона на паметта – кафези, които са по едно и също време толкоз бързи, колкото DRAM, и толкоз енергонезависими, колкото NAND.

Според най-консервативните оценки новата памет употребява 15 пъти по-малко от създаваните през днешния ден аналози, а откъм производството ѝ – няма по-евтино. Това е сбъдната фантазия. Добре е да уточним, че става дума за памет с фазова смяна или PCM (phase-change memory). PCM клетката съставлява избран размер вещество, което може да бъде в аморфно или кристално положение. В първия случай в клетката няма придвижване на електрони. Налице е същински безпорядък, а във втория случай – това е подредена конструкция, която е в положение да организира ток. От едното положение в другото клетката минава благодарение на локално нагряване, което поначало е мъчно да се назова енергийно дейно решение. Спасяват го единствено най-напредналите софтуерни процеси, когато клетката е допустимо най-малка и клиентите, които са подготвени да платят колкото се постанова за памет, устойчива на разнообразни въздействия на околната среда, да вземем за пример нечувствителна към радиация.

Теоретично PCM паметта може да се преглежда като 3D XPoint (Optane) памет, несправедливо оставена отвън проектите на Intel, макар че може да се отнася и към ReRAM или резистивна памет. По принцип същността ѝ остава същата и тя има безусловно същите проблеми – скъпо е производството и неприятното мащабиране.

Но към момента е прекомерно рано да отписваме PCM. Изследователи от катедрата по електротехника в университета KAIST са създали развой, който създава PCM преход по електрически път (очевидно посредством миграция на атоми на материята). Този тип произвеждане не изисква скъпа литография. С новия развой размерът на съединението е понижен до 5 nm и това е макар обстоятелството, че производителите наизуст за 20-те години на създаване и произвеждане на PCM са се доближили единствено до 40 nm кафези, употребявайки нормалните индустриални процеси.

Очевидно е, че 5 nm PCM клетка ще употребява по-малко от 40 nm клетка.

При опити първообраз на новата PCM памет, която е „ толкоз бърза, колкото DRAM и толкоз енергонезависима, колкото NAND flash “, тя сподели консумация на сила 15 пъти по-ниска от сегашните аналози.

„ Разработеното от нас устройство за памет с фазов продан е значимо, защото предлага нов метод за решение на проблемите при производството на устройства за памет при доста по-добри индустриални разноски и енергийна успеваемост. Очакваме резултатите от нашите проучвания да залегнат в основата на бъдещата електроника, позволявайки реализирането на разнообразни артикули, в това число отвесна 3D памет с висока компактност и невроморфни компютърни системи, защото е открита опция за избор на голям брой материали. “

непретенциозно показаха разработчиците нововъведението, което при триумф дърпа към гражданска война в региона на оперативното и дълготрайното предпазване на данни