Samsung започва масовото производство на eMRAM памети
.td_uid_42_5c822a10c22ee_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5c822a10c22ee_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Веднага след компанията Intel, за началото на всеобщото произвеждане и внедряване на магниторезистивната MRAM памет заяви още един софтуерен колос – Samsung Electronics. Южнокорейската компания ще създава eMRAM чипове за вградените системи, микроконтролерите, устройствата за концепцията „интернет на нещата“ и за компютърните системи с детайли на изкуствен интелект.
За производството на eMRAM чиповете се употребява 28 нанометров софтуерен развой по технологията FD-SOI Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (изцяло обеднен силиций върху изолатор). Тази технология мощно понижава паразитните токове и покачва енергийната успеваемост. eMRAM паметта би трябвало да размени употребяваната до момента eFlash памет и да донесе редица прерогативи.
Така да вземем за пример, eMRAM не изисква спомагателен цикъл на заличаване преди записа на данни и това е повода скоростта на запис на информация да е над хиляда пъти по-висока спрямо eFlash. Не се изисква и периодическа регенерация на записаните данни. Консумацията на електрическа сила в режим на запис е едвам 1/4000 от потреблението на eNAND паметите. Магниторезистивната памет обезпечава висока мащабируемост и елементарно може да бъде интегрирана в в този момент съществуващите устройства и технологии.
.td_uid_41_5c822a10c1eac_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5c822a10c1eac_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Церемонията, отдадена на началото на доставките на eMRAM чипове се състоя в един от индустриално изследователските комплекси на Samsung в Южна Корея. Компанията съобщи, че след една година ще предложи на пазара eMRAM чипове с потенциал до 1 гигабит.
.td_uid_43_5c822a10c2ff7_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_43_5c822a10c2ff7_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Веднага след компанията Intel, за началото на всеобщото произвеждане и внедряване на магниторезистивната MRAM памет заяви още един софтуерен колос – Samsung Electronics. Южнокорейската компания ще създава eMRAM чипове за вградените системи, микроконтролерите, устройствата за концепцията „интернет на нещата“ и за компютърните системи с детайли на изкуствен интелект.
За производството на eMRAM чиповете се употребява 28 нанометров софтуерен развой по технологията FD-SOI Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (изцяло обеднен силиций върху изолатор). Тази технология мощно понижава паразитните токове и покачва енергийната успеваемост. eMRAM паметта би трябвало да размени употребяваната до момента eFlash памет и да донесе редица прерогативи.
Така да вземем за пример, eMRAM не изисква спомагателен цикъл на заличаване преди записа на данни и това е повода скоростта на запис на информация да е над хиляда пъти по-висока спрямо eFlash. Не се изисква и периодическа регенерация на записаните данни. Консумацията на електрическа сила в режим на запис е едвам 1/4000 от потреблението на eNAND паметите. Магниторезистивната памет обезпечава висока мащабируемост и елементарно може да бъде интегрирана в в този момент съществуващите устройства и технологии.
.td_uid_41_5c822a10c1eac_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5c822a10c1eac_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Церемонията, отдадена на началото на доставките на eMRAM чипове се състоя в един от индустриално изследователските комплекси на Samsung в Южна Корея. Компанията съобщи, че след една година ще предложи на пазара eMRAM чипове с потенциал до 1 гигабит.
.td_uid_43_5c822a10c2ff7_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_43_5c822a10c2ff7_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ