SK hynix пусна производство на DDR5 памет чипове от поколението на 10nm
SK hynix през днешния ден разгласи завършването на най-съвременната в бранша технология за правене наизуст 1b nm – петото потомство 10nm софтуерен процеса. Заедно с Intel, компанията към този момент е почнала да тества новите DDR5 модули, предопределени за платформите Intel Xeon Scalable. Новият 1b nm софтуерен развой ще се употребява както за сървърна, по този начин и за потребителска DDR5 памет, а по-късно за HBM3E и други видове памет. DDR5 чиповете, създадени по 1b nm технологията, би трябвало да бъдат пуснати в всеобщо произвеждане през втората половина на годината.
SK hynix чака валидирането на DDR5 паметта, основана на 1bnm технологията, да не е проблем. Според прес-съобщението, DDR5 оперативната памет, въз основата на новите чипове, ще обезпечи 6,4 Gb/s скорост за трансфер на данните, което е с 33% по-добре от предходното потомство DDR5 артикули. По-важното е, че 1bnm DDR5 паметта ще употребява 20% по-малко електрическа енергия спрямо по-ранните артикули. Това се дължи на обстоятелството, че в процеса се употребява материал с висока диелектрична проницаемост, който понижава утечките на токове и усъвършенства капацитивните характерности на клетките, означават от компанията.
SK hynix също удостовери, че процесът от последващо потомство ще се употребява и за паметите от вида HBM3E. Той ще усили скоростта за обработка до 8Gbps на пин, което е 25% повече спрямо HBM3 и 8 пъти повече спрямо първото потомство HBM памет. HBM3E чиповете би трябвало да бъдат пуснати в всеобщо произвеждане през 2024 година
Компанията акцентира, че създаването на най-новата 1bnm технология ще разреши на сдружението да даде на своите клиенти DRAM артикули с висока продуктивност и успеваемост. Това ще му разреши да продължи да държи водачеството измежду производителите наизуст модули. Спомнете си, че Samsung неотдавна разгласи прехода към нова технология за произвеждане наизуст. Компанията анонсира началото на всеобщото произвеждане на 16-гигабитовите DDR5 чипове оперативна памет, основани на 12-nm софтуерен развой.
