Силициева пластина, тънка само 20 микрона, ще подобри рязко енергийната

Силициева пластина, тънка единствено 20 микрона, ще усъвършенства внезапно енергийната успеваемост
(снимка: Infineon Technologies)

Нарастващото ползване на сила от платформите с изкуствен интелект постанова на разработчиците да търсят всевъзможни благоприятни условия за понижаване на потреблението. Вариантите не са доста, а един от тях е препоръчан от немската полупроводникова компания Infineon Technologies.

Infineon съумя да понижи загубите в силовите полупроводници, които зареждат процесори, съставни елементи на AI платформи и други За да направи това, компанията е усвоила технологията за произвеждане на най-тънките в света силициеви субстрати – два пъти по-тънки от наличните на пазара сега, заяви Inside HPC.

Съвременните тънки силициеви пластини с диаметър до 300 мм имат изходна дебелина 40-60 микрона. Infineon създаде финален развой на гланциране, който прави допустимо намаляването на дебелината на пластината – субстрата за бъдещото произвеждане на чипове върху него – до 20 микрона. За съпоставяне, междинната дебелина на човешкия косъм доближава 80 микрона.

За да се създаде силициева пластина с диаметър 30 ​​см и дебелина 20 микрона, е належащо да се реализира съвършенство във всички стадии на производството – от рязане до шлайфане. Infineon твърди, че е подготвена да внедри тази технология в всеобщото произвеждане на чипове.

Infineon е измежду производителите на захранващи съставни елементи, направени от силиций, силициев карбид и галиев нитрид. Използването на материали отвън чистия силиций разрешава основаване на по-ефективни и мощни съставни елементи за захранващи подсистеми и превръщане на напрежение и ток.

Това е извънредно значимо в светлината на възходящото ползване на сила от ИТ системите. Използването на по-тънки пластини за произвеждане на силови чипове ще понижи устойчивостта на субстрата с 50% и като цяло ще понижи загубата на мощ с 15%.

Процесорите и AI чиповете минават към зареждане от силициевата пластина, доставяно посредством канали с отвесна метализация. Намаляването на дължината (височината) на тези канали в MOSFET вериги намалява тяхното противодействие и води до усъвършенствана успеваемост и нараснала компактност на мощността.

В мащаба на AI центъра за данни това може да бъде впечатляващо икономисване на сила. Infineon дава обещание да даде нови „ тънки ” захранващи чипове на всички клиенти в границите на две години.