Samsung ще представи на CES 2026 първите образци на LPDDR6 RAM памет с пропускателна способност 10,7 Gbit/s
Samsung даде обещание да показа мостри на LPDDR6 RAM на CES 2026, които ще бъдат пуснати в всеобщо произвеждане една година по-късно. Чиповете от последващо потомство ще се създават по 12 nm развой и ще оферират скорост на трансфер на данни до 10,7 Gbit/s. Паметта от последващо потомство ще се употребява в мобилни устройства, периферни устройства с високо натоварване и приложения за изкуствен интелект.
Организацията JEDEC разказва LPDDR6 в стандарта JESD209-6. Паметта от нов вид се характеризира с архитектура с два подканала на кристал – по 12 линии за данни на всяка. Всеки подканал има собствен личен набор от сигнали за команди и адреси. Тази настройка разрешава да се резервира подробност от 32 байта при висока ефикасна пропускателна дарба на канала. Поддържат се гъвкави дължини на пакетите данни от 32 до 64 байта.
Най-важното преимущество на LPDDR6 е нейната 21% по-висока енергийна успеваемост – при сравними скорости новата памет работи при по-ниско напрежение от LPDDR5.
Тя разполага с две самостоятелни VDD2 зареждания, функционалност за динамично изместване на напрежението и честотата (DVFS) и режим на динамична успеваемост, който разрешава паметта да бъде лимитирана до един подканал при едва натоварване.
Осигурени са няколко функционалности за сигурност. Наличен брояч за активиране на редове – той предотвратява приключването на заряд в прилежащите кафези при чести достъпи и поддържа предпазени зони с стеснен достъп. Налице е и вградена система за промяна на неточности (ECC) непосредствено в чипа, а също и система за надзор на четността (CA Parity), отбрана на информационните канали и вградена система за независима инспекция на паметта (MBIST).
Все още е прекомерно рано да се каже кои серии процесори ще поддържат паметта от последващо потомство – Intel и AMD към момента не са загатнали нищо по тематиката.
