Samsung прави огромен пробив в създаването на нов тип памет — Selector-Only Memory
Samsung направи забележителен пробив в основаването на нова технология за памет, наречена Selector-Only Memory (SOM). Използвайки усъвършенствани техники за компютърно моделиране, компанията създаде SOM, който съчетава скорости на четене и запис, сходни на DRAM, с енергонезависимост и опция за стековане, което го прави прелъстителен за потребление в актуалните устройства.
Технологията SOM се основава на архитектура на кръстосана памет, която е сходна на фазовата памет и резистивната оперативна памет с случаен достъп (RRAM). Тя употребява подредени масиви от електроди, което разрешава висока продуктивност. Обикновено се употребяват селекторни транзистори или диоди за адресиране наизуст клетките, които предотвратяват появяването на нежелани електрически пътища. Samsung пое по друг път, като изследва нови материали, които могат по едно и също време да работят като селектор и детайл на паметта.
Samsung избра халкогенидните материали като основа за новата форма на енергонезависима памет. В хода на проучването бяха тествани повече от 4000 разнообразни материала, от които Ab-initio компютърното моделиране оказа помощ да се изберат 18 от най-обещаващите. Основният фокус беше върху подобряването на два основни параметъра: дрейф на праговото напрежение и оптимизация на прозореца на паметта, които са значими индикатори за продуктивността на SOM.
Традиционно халкогенидните системи Ge, As и Se за такива проучвания са употребявани в праговите превключватели (OTS). Samsung обаче разшири този метод, като се концентрира върху по-широка гама от материали, вземайки поради характерностите на връзката, термичната непоклатимост и надеждността на устройството. Това разреши да се реализира по-добра продуктивност и успеваемост на новата памет.
На идното мероприятие International Electronic Devices Expo (IEDM), което ще се организира от 7 до 11 декември в Сан Франциско, откриватели от Samsung ще показват резултатите от своите проучвания. Те ще споделят детайлности по отношение на работата си с халкогенидните материали и ще обяснят по какъв начин техните пионерски компютърни симулации способстват за развиването на SOM. В допълнение, екипът на IMEC ще приказва на IEDM по отношение на евентуалните атомни механизми, засягащи работата на селекторния съставен елемент в SOM.
