Прогресът в областта на чиповете се измерва с помощта на

Прогресът в региона на чиповете се мери благодарение на канара препоръчана от Гордън Мур, съоснователят на компанията Intel, която последователно се трансформира в закон. Той предвижда, че броят на електронните съставни елементи в чиповете ще се удвоява всяка година. Тази прогноза бе направена преди повече от 50 години и всички имахме опция да се убедим, че Законът на Мур е правилен. Но през последните години темповете на развиване на тази промишленост започнаха. Една от основните аргументи е мощно нарасналата компактност на транзисторите в чипа, което води до увеличение на отделяната топлота.

Електрическите изолатори минимизиращи електрическите загуби в чиповете се назовават low-k диелектрици . В идеалния случай те водят разрушителната топлота, провокирана от протичането на електрическия ток. Но колкото повече транзистори има на единица повърхност, толкоз по-близо са разположените един до различен транзистори и толкоз по-трудно става разсейването на топлината.

Група американски учени съумя да подобаващия low-k диелектрик като сплоти в един общ екип експерти от разнообразни области – машиностроене, химия, материалознание, електротехника и електроника. Те сътвориха 2D материал, който е полимерен пласт с дебелина от един атом. Неговите свойства могат да бъдат изменени посредством слагането на разнообразни пластове от новия материал.