представи първата серия пробни чипове, произведени чрез 3 нанометров технологичен

показа първата серия пробни чипове, създадени посредством 3 нанометров софтуерен развой, в които се употребяват GAA (gate-all-around) транзистори – транзисторите, обкръжени от гейтове, заяви изданието Tom’s Hardware. Според тази информация, за създаването на Samsung Foundry , съответният и отдел на южнокорейската компания, който се занимава с създаването и производството на полупроводникова продукция, е употребявал профилирания програмен продукт Fusion Design Platform на компанията Synopsys.

В технологията Samsung 3GAA се употребяват GAA транзистори, които са присъщи с нарасналата си компактност, слаби токове на приключване и осезателно по-висока продуктивност в съпоставяне на в този момент употребяваните транзистори. Едно от преимуществата на GAA транзисторите е опцията за смяна на индикаторите на тяхната продуктивност и енергийна успеваемост, което става посредством задаване на нужната широчина на техните канали и наностраници.

„Структурата на GAA транзисторът е основен миг в развиването на софтуерните процеси и има решаващо значение за поддръжката на същата траектория на мащабиране за идната вълна от огромни иновации“ – съобщи ръководителят на отдела Digital Design Group на компанията Synopsys Шанкар Кришнамурти (Shankar Krishnamoorthy).

Използвайки профилирания програмен продукт на компанията Synopsys, експерти на Samsung Foundry са основали комплицирана система-върху-чипа, която включва всички функционални блокове, най-често употребявани в практическото серийно произвеждане на чипове.