Преди три години учените от университета на Мичиган разработиха устройство

Преди три години учените от университета на Мичиган създадоха устройство за, в което се употребяват силиций и галиев нитрид (Si/GaN) за превръщането на слънчевата светлина във водород за горивните детайли, освен това с двукратно по-висока успеваемост и непоклатимост спрямо аналогичните технологии. Сега, взаимно със експертите от Националната лаборатория на Министерството на енергетиката на Съединени американски щати те откриха нови поразителни свойства на сместа Si/GaN, които дават опция за коренно ускорение комерсиализацията на технологиите за изкуствена фотосинтеза и водородни горивни детайли.

„Нашият материал е същински пробив“ – ръководителят на научната група Франческа Тома от Националната лаборатория Лорънс Бъркли. „Обикновено материалите употребявани в системите за приемане на водород от Слънцето последователно се изтощават и унищожават, стават нестабилни и все по-неефективно стартират да генерират водород. Но Si/GaN сместа вместо да покаже отмалялост, най-неочаквано показва растеж на генерирания водород. Материалът се оказа по-производителен и по-надежден спрямо всичко, което учените са тествали до днес“.

Досега, съвсем всички материали употребявани за изкуствена фотосинтеза или чудесно гълтам светлината, само че са нестабилни, или са постоянни, само че не гълтам добре светлинните талази. Но силицият и галиевия нитрид демонстрираха рекорден коефициент на потребно деяние от 3% при директното превръщане на слънчевата светлина във водород. Освен това, те са леснодостъпни субстанции, които необятно се употребяват в производството на полупроводникови съставни елементи.

Експериментите демонстрираха, че при работата на тази нова система, върху повърхността на материала се образува пласт от галий, азот и О2 с дебелина 1 nm. Именно той е повода за повишението на каталитичната интензивност при приемането на.