Потребител с псевдоним @techkeyz333 откри подробните спецификации на предстоящия Samsung

...
Потребител с псевдоним @techkeyz333 откри подробните спецификации на предстоящия Samsung
Коментари Харесай

Samsung Galaxy S25 FE: спецификациите на новия смартфон бяха разкрити във фърмуера

Потребител с псевдоним @techkeyz333 откри подробните спецификации на идния Samsung Galaxy S25 FE в кода на фърмуера на сгъваемия смарт телефон Samsung Galaxy Z. Според констатациите новият модел ще получи обилни усъвършенствания в региона на екрана, предната камера и зареждането.

Основното изобретение ще бъде енергийно ефикасен LTPO екран (панел s6e3fc5), който за разлика от предшественика си ще може динамично да трансформира честотата на освежаване в диапазона 30-120 Hz (налични стойности 30 Hz, 48 Hz, 60 Hz и 120 Hz). За съпоставяне, Galaxy S24 FE поддържаше единствено превключване сред 60 Hz и 120 Hz. Новият екран разполага със сензорния чип Synaptics s3908t с периодичност на дискретизация 240 Hz.

В региона на камерата Samsung ще резервира конфигурацията на главния модул, ултраширокоъгълния обектив и телеобектива от предходния модел. Основната камера със датчик Samsung GN3 ще поддържа запис на видео в 8K резолюция при 24 фрагмента в секунда и Full HD при 240 фрагмента в секунда. Ултраширокоъгълният модул (Samsung 3L6) и телеобективът (Samsung 3K1) ще могат да снимат видео в 4K резолюция при 60 фрагмента в секунда.

Значително усъвършенстване ще претърпи предната камера, която ще получи новия датчик Sony IMX825 с опция за запис на видео в 4K резолюция при 60 фрагмента в секунда.

Скоростта на зареждане също доста ще се усъвършенства – Galaxy S25 FE ще поддържа 45W жично зареждане, което е съвсем два пъти по-бързо от Galaxy S24 FE с неговите 25W. Устройството ще употребява датчика за равнището на зареждане max77775, чипа за ръководство на зареждането dio8018 (същият, който се намира в Galaxy Z Flip 7), чипа за кабелно зареждане cps4038 и чипа за безжично зареждане sm5443.

Източник: kaldata.com


СПОДЕЛИ СТАТИЯТА


КОМЕНТАРИ
НАПИШИ КОМЕНТАР