По време на събитието Foundry Forum, компанията Samsung сподели плановете

По време на събитието Foundry Forum, компанията Samsung показа проектите си по отношение на идващите нови софтуерни процеси при производството на чипове.
Още през втората половина на тази година би трябвало да стартира производството на чипове посредством 7 нанометровия Low Power Plus (LPP) софтуерен развой. Ще се употребява EUV (екстремална ултравиолетова литография). Масовото произвеждане на чипове посредством тази технология е планувано за първата половина на 2019 година.

Следващите чипове, създавани посредством Low Power Early (LPE) технологията ще употребяват рекордно малко електрическа сила. Последните чипове, създавани посредством FinFET технологията ще употребяват 4 нанометров софтуерен развой въз основата на технологията Low Power Early/Plus. Тяхното произвеждане би трябвало да стартира надлежно през 2019-2020 години.

Започвайки с 3 нанометровия софтуерен развой, компанията Samsung има намерение да премине към потреблението на напълно личната архитектура от последващо потомство GAA (Gate all-around) MBCFET (multi-bridge-channel FET) . Производството на чипове посредством 3 нанометров софтуерен развой е планувано за след 2022 година. Информацията е на PhoneArena.