Литографията с използване на силиций и лазери ще останат основният начин за производство на чипове през следващото десетилетие
Още през май ASML, водачът в сегмента на литографските скенери разгласи вероятността за системи със свръхвисока числова апертура от 0,75 (Hyper-NA EUV) до началото на идващото десетилетие.
Представители на Imec настояват, че литографията няма да се отдалечи от потреблението на лазери и силиций и през идващото десетилетие.
Съответните прозрения бяха споделени от шефа на стратегиите за рационализиране на експозицията на Imec, Курт Ронсе в изявление за EE Times. Тази белгийска компания оказва помощ на ASML да овладее нови технологии в създаването на литографски скенери към този момент повече от 30 години, тъй че Ронсе има цялостното право да приказва за вероятностите за тяхното бъдещо развиване. Още в този момент, подготвяйки се да премине към литографски скенери с висока (0,55) стойност на числовата апертура (High-NA EUV), производителят на съоръжение е изправен пред някои проблеми.
Пътна карта на ASML за EUV технологията По-специално, при тази стойност на числовата апертура към този момент стартира да се демонстрира поляризацията на светлината, която понижава контраста на изображението, проектирано върху силициевата пластина. За битка с това могат да се употребяват поляризационни филтри, само че те усилват потреблението на сила на оборудването и индустриалните разноски. При прехода към Hyper-NA EUV, както изяснява представителят на Imec, казусът ще бъде в намирането на нови фоторезистивни материали, защото даже при стойност на числената апертура от 0,55 дебелината на пласта им понижава, а това утежнява точността на последващото химическо ецване.
Според Ронзе, TSMC не бърза да премине към High-NA EUV заради опита на компанията с голям брой фотошаблони. Intel няма подобен опит и по тази причина избира просто да премине към по-скъпо съоръжение с по-висока разграничителна дарба. Двойното шаблониране би изисквало по-прецизно позициониране на фотомаските – област, в която Intel просто няма опит. Според представителя на Imec, TSMC ще реши да премине към High-NA EUV към края на това десетилетие.
Като цяло такова съоръжение ще откри приложение в производството на чипове, употребяващи литографски стандарти по-тънки от 2 nm – до 7 ангстрьома.
След това ще би трябвало да се употребяват литографски скенери със свръхвисока стойност на числената апертура (Hyper-NA EUV). Този преход ще отстрани двойното шаблониране, защото последният способ усилва разноските за инструментална екипировка и удължава индустриалния цикъл, което усилва индустриалните разноски.
Според Imec, откривателите са разгледали няколко други възможности на оборудването за литография със свръхвисока числова апертура. Една от тях е технологията за наноотпечатване на транзистори, само че този способ е надалеч по-слаб по продуктивност даже от скенер с висока EUV апертура. Разглеждана е и друга опция за потребление на голям брой ориентирани електронни потоци за образуване на стремежи модел върху силициева пластина, само че единственият производител на уместно съоръжение е банкрутирал.
Използването на нови материали вместо силиций също е било мъчно до момента, както изяснява представителят на Imec. Съществуват материали с по-висока пъргавина на електроните, само че е доста мъчно те да се приложат върху поставка, която ще продължи да бъде силициева. Оборудването за нанасяне на новите материали ще бъде комбинирано с нови химикали и към този момент се организират опити в лабораториите, само че те са надалеч от всеобщо приложение.
