Huawei се е научила да произвежда „почти“ 5 nm чипове с китайско оборудване и подготвя 3 nm технологичен процес
Общоприето е мнението, че измежду китайските компании Huawei има най-голяма потребност от преодоляване на модерни литографски технологии. Нейният контрагент SMIC към този момент е в положение да създава 7 nm чипове, само че самата Huawei е отишла по-далеч, предлагайки артикули с характерности, еквивалентни на тези на задграничните 5 nm чипове. Huawei може даже да овладее 3 nm развой през идната година.
Интересна информация по тази тематика беше споделена от тайванския запас United Daily News, който стартира с разискване на произхода на показаните този месец процесори HiSilicon Kirin X90. Противно на упованията, те не са създадени по 5 nm развой в първичния му смисъл. Използван е 7 nm развой SMIC, само че Huawei е съумяла да усъвършенства плътността на транзисторите, като е минала към по-съвременна чипсетна опаковка. Нивото на рандеман на чипове не надвишава 50%, тъй че производството на такива полупроводникови артикули към момента е много скъпо.
Huawei също по този начин е съумяла да сътвори индустриални линии, изцяло лишени от задгранично литографско съоръжение.
За експониране на дизайна на създадените чипове компанията употребява съоръжение на Shanghai Micro Electronics от серията SSA800, което с помощта на потреблението на няколко прекосявания и доста фотошаблони разрешава да се получат нужните физически параметри на основаните чипове. За ецване на силициевите пластини компанията употребява съоръжение на AMEC, което е механически уместно за 5 nm развой, а тестовото и измервателното съоръжение от подобаващ клас на акуратност се доставя от китайската Naura Technology. Подобна екосистема би трябвало да разреши на други китайски производители на чипове да реализират прогрес в региона на литографията, като в същото време запазят глобите на Съединени американски щати, подкрепяни от Япония и Нидерландия.
Според тайвански медии подготовката на Huawei за 3 nm технология също е в ход. Следващата година тя би трябвало да е подготвена да вкара развой, употребяващ планарни структури и (gate-all-around-assembly – GAA) транзистори. Алтернативно, разновидността на 3 nm развой, включващ въглеродни нанотръбички може да бъде вид, който към този момент е минал стадия на лабораторни проби и е почнал проби на индустриалните линии на SMIC.
