Китайската YMTC започва производството на съвременна флаш памет с помощна на китайско оборудване
Може би точно известието на YMTC от месец август предходната година, че е подготвена да стартира да създава 232-слойна 3D NAND памет, да е довело до утежняване на американските наказания. В началото на октомври управляващите на тази страна не разрешиха доставките за Китай на съоръжение, което би разрешило производството на чипове памет с повече от 128 пласта. До края на декември YMTC бе обект на целенасочените наказания на Съединени американски щати. Сега изданието SCMP оповестява, че китайската компания има намерение да стартира произвеждане на полупроводникова памет посредством пробна поточна линия, употребявайки само съоръжение с китайски генезис.
YMTC има намерение да стартира произвеждане на модерни 3D NAND памети на с помощта само на локално съоръжение, с поддръжката на локалните снабдители и китайските управляващи, които са подготвени да провиснал до 7 милиарда $ за решение на казуса със заместването на вноса в производството на полупроводникови памети. Доставчиците на сходно съоръжение, макар че са само китайски, са помолени да отстранен идентификационните знаци от своите артикули, в случай че несъмнено въобще решат да доставят сходно съоръжение на YMTC, защото компанията към този момент е обект на наказания от страна на Съединени американски щати и инспекции от страна на регулаторните органи.
Засега флаш паметта на YMTC с 232-слоя се предлага в напълно лимитирани количества и партиди, предопределени за единствено китайския пазар.
