Китайската CXMT представи собствена DDR5 памет – тя малко по-слаба от продуктите на SK hynix и Samsung, но е по-евтина
Китайският производител наизуст ChangXin Memory Technologies (CXMT) неотдавна стартира всеобщо произвеждане на DDR5 чипове. Тяхната архитектура беше проучена от специалистите на TechInsights: съгласно анализаторите продуктите на Samsung, SK hynix и Micron са с 3 години по-напред от китайските. Въпреки това производителите на автентично съоръжение към този момент се приготвят за разпространяването на тази памет – MSI пусна актуализация на BIOS-а, усъвършенствана за паметта на CXMT за дънни платки, предопределени за китайските консуматори.
Експертите на TechInsights избраха за проучването комплект от две 16 GB DDR5-6000 UDIMM плочки (VGM5UC60C36AG-DVDYBN), създадени от Gloway върху 16-гигабитови CXMT чипове. Чипът е с размери 8,19 × 8,18 mm, което дава повърхност от 66,99 mm² и компактност от 0,239 Gbit/mm² – кристалът е капсулиран. Последният е направен по новата технология CXMT G4 с размер на клетката 16 nm и повърхност на клетката 0,002 µm² – 20% понижение на размера спрямо предходното решение G3 (18 nm). Разстоянието сред клетките е 29,8, 41,7 и 47,9 nm за дейната линия, както и за wordline и bitline – сходно на поколението D1z (15,8-16,2 nm) на Samsung, SK hynix и Micron.
Добивът на CXMT е 80%, което е доста добър резултат.
Преди това CXMT произвеждаше DRAM, употребявайки личните си технологии G1 (D2y, 23,8 nm) и G2 (D1x, 18,0 nm). Пазарните водачи в лицето на Samsung, SK hynix и Micron към този момент са минали към 12-14 nm технологии, употребяващи рискова ултравиолетова технология (EUV), само че тя е недостъпна за китайските производители заради глобите на Съединени американски щати.
Вашингтон забрани на CXMT да употребява съоръжение с американски технологии и да доставя продуктите си в Съединени американски щати. За съпоставяне, Samsung е понижила размера на кристала си до 6,46 × 7,57 mm, което подхожда на повърхност от 48,90 mm², което съставлява 40% преимущество пред CXMT. Това не попречи на китайския производител да настигне международните водачи във връзка с плътността на чиповете и да работи като пълновръстен съперник, предлагайки по-ниски цени. Сега гамата му от чипове включва DDR3L (2 и 4 Gbit), DDR4 (4 и 8 Gbit), LPDDR4X (6 и 8 Gbit), LPDDR5 (12 Gbit), а в този момент и DDR5 (16 Gbit).
Китайската оперативна (RAM) памет е изцяло съвместима със актуалните платформи. MSI пусна в Китай дънни платки MAG B860 Tomahawk Wi-Fi, MAG B860M Mortar Wi-Fi и Pro B860M-A Wi-Fi, а последната актуализация на BIOS за тях обезпечава оптимизация за чиповете DDR5 чиповете на CXMT, показва Tom’s Hardware.
През 2021 година Samsung, SK hynix и Micron пускаха чипове, създадени по 16 nm технология, а през днешния ден минаха към D1a/D1α и D1b/D1β с 12-14 nm детайли. Това демонстрира 3-годишно софтуерно закъснение сред пазарните водачи и CXMT, само че китайският производител интензивно се движи напред: той прескочи 17 nm технология (D1y), мина напряко от 18 nm към 16 nm (D1z) и в този момент интензивно работи по технология от последващо потомство – по-малко от 15 nm и без EUV литография – овладява се и памет от вида HBM.
