Kioxia започна да тества бързата и ефективна памет UFS 4.1 за смартфоните на бъдещето
Kioxia разгласи началото на тестванията на своите флаш-памети Universal Flash Storage (UFS) 4.1. Паметта е проектирана да работи с мобилните устройства от последващо потомство, в това число и актуалните смарт телефони с изкуствен интелект — съставените елементи оферират висока продуктивност и енергийна успеваемост в BGA опаковка.
Модулите Kioxia UFS 4.1 комбинират новаторската флаш-памет BiCS FLASH 3D и контролера в опаковката, подобаващ на стандарта JEDEC. Тук се употребява паметта Kioxia BiCS FLASH 3D от осмо потомство, в която е осъществена технологията CBA (CMOS direct bonded to Array), включваща непосредствено свързване на CMOS-схемата към масива от кафези памет. Това обезпечава доста нарастване на енергийната успеваемост, продуктивността и плътността.
Паметта Kioxia UFS 4.1 се предлага с потенциал 256GB, 512GB и 1TB. Скоростта на случаен запис за чиповете от 512GB и 1TB се е нараснала с 30%; скоростта на случаен запис за чиповете от 512GB — с 45%, а за 1TB — с 35%. Енергийната успеваемост при четене на данни за чиповете от 512GB и 1TB се е нараснала с 15%, а при запис за същите чипове — с 20%.
Добавени са и две решения за усъвършенстване на работата на вградените устройства за предпазване: почистването на боклука може да се инициира от хост системата, а не от съставния елемент памет, тъй че цялостната работа на устройството да не се забавя в процеса; допустимо е да се промени и размерът на буфера WriteBooster, което може да помогне за реализиране на по-добра продуктивност. И най-после, производителят е съумял да понижи дебелината на 1 TB чипа.
