Учени от Кеймбридж представиха нов тип памет, която значително ще ускори работата на изкуствения интелект
Изследователски екип, управителен от Университета в Кеймбридж, е създал нов дизайн на компютърна памет, който доста ще усъвършенства продуктивността и ще понижи потреблението на сила в интернет и информационните технологии.
Според университета през идващото десетилетие изкуственият разсъдък, интернет и другите технологии, работещи с огромни количества данни, ще употребяват 30% от електрическата енергия в света. Прехвърлянето на информация сред устройствата за предпазване и обработка изисква доста сила и време, се споделя в изследването.
Учените опитват с нов тип технология, известна като резистивна превключваща памет. За разлика от съществуващите устройства, които кодират данните в две положения (едно или нула), създаването на учените разрешава потреблението на непрестанен диапазон от положения.
Това се реализира посредством използване на електрически ток към избрани материали, което води до увеличение или понижаване на електрическото противодействие. Различните промени в електрическото противодействие основават разнородни вероятни положения за предпазване на данните.
„ Една типична USB памет, основана на непрестанен диапазон, би могла да съхранява да вземем за пример 10 до 100 пъти повече информация “, споделя водещият създател на проучването Маркус Хеленбранд.
Екипът е създал първообраз на устройство, основано на хафниев оксид. Досега този материал беше сложен за потребление в резистивната памет заради неналичието на информация за структурата на материала на атомно равнище. Учените обаче са намерили решение: добавили са барий към сместа.
Така се основават бариеви „ мостове “ със комплицирана конструкция, които се разполагат сред плътните филми от хафниев оксид. В точката, където тези „ мостове “ се пресичат с контактите на устройствата, се основава енергийна преграда, която дава опция на електроните да я преминат.
Енергийната преграда може да се покачва или намалява. Това трансформира съпротивлението на композита от хафниев оксид и разрешава на материала да се намира в няколко положения и да запомня тези положения.
Според учените новата памет работи сходно на метода, по който работят синапсите в мозъка, които могат както съхраняват, по този начин и да обработват информацията.
