<1 nm: Учени са усвоили метод за създаване на ултраминиатюрни транзистори без литография
Изследователите са преодолели литографските ограничавания...
Емил Василев 15:29 | 04.07.2024 2 СподелиНай-четени
IT НовиниЕмил Василев - 22:39 | 02.07.2024На жена, спечелила $43,000,000 $ в казино беше препоръчана вечеря с пържола вместо облагата ѝ
IT НовиниСветослав Димитров - 14:38 | 01.07.2024200 пъти по-добри от слънчевите панели: чудотворни сфери обезпечават сила даже от изкуствена светлина
IT НовиниСветослав Димитров - 13:12 | 02.07.2024Гугъл Maps инцидентно разкри местоположението на скришен американски подводен дрон
Емил Василевhttps://www.kaldata.com/Изследователски екип, управителен от професор Джо Мун-Хо, шеф на Центъра за квантови твърди субстанции „ Ван дер Ваалс “ към Института за фундаментални науки (IBS) направи забележителен пробив в региона на нанотехнологиите.
Учените са създали реформаторски способ за епитаксиален напредък на едномерни железни материали с невиждана ширина от по-малко от 1 нанометър.
Този развой е сполучливо прибавен за основаване на нова архитектура на логическа скица, основана на двуизмерни (2D) полупроводници. Ключово достижение е потреблението на получените едноизмерни метали като ръководещ електрод в ултраминиатюрни транзистори. Този метод открива нови благоприятни условия за по-нататъшна миниатюризация на електронните съставни елементи и възстановяване на продуктивността на интегралните схеми.
Устройствата, основани на 2D полупроводници с отлични свойства даже при атомна дебелина са главен фокус на проучванията в международен мащаб. Разработването на такива свръхминиатюрни транзистори, способни да управляват придвижването на електрони на дистанции от няколко нанометра обаче съставлява доста техническо предизвикателство.
Степента на интеграция на полупроводниковите устройства се дефинира от ширината и успеваемостта на ръководство на ръководещия електрод, който управлява потока електрони в транзистора. При обичайните процеси за произвеждане на полупроводници намаляването на дължината на ръководещия електрод до няколко нанометра не е допустимо заради рестриктивните мерки на литографската разграничителна дарба.
За да реши комплицирания механически проблем, изследователският екип употребява неповторимото свойство на огледалната двойна граница (mirror twin boundary (MTB) на молибденовия дисулфид (MoS2). Тази граница в двуизмерния полупроводник MoS2 съставлява едноизмерен метал с широчина единствено 0,4 нанометра.
Изследователите са приложили това свойство за основаване на ултратънък електрод на гейта, който преодолява рестриктивните мерки на обичайните литографски процеси.
В проучването учените са съумели да произведат едномерна железна фаза на MTB посредством точно управление на кристалната конструкция на действителен двумерен полупроводник на атомно равнище. Този развой трансформира материала, създавайки едноизмерна (1D) огледална двойна граница. Това достижение съставлява забележителен пробив както за създаването на полупроводникови технологии от последващо потомство, по този начин и за фундаменталното материалознание. То показва опцията за синтезиране на нови етапи на материалите на огромни площи посредством изкуствено управление на техните кристални структури, което открива нови хоризонти за основаване на материали с избрани свойства.
Според Международната пътна карта за устройства и системи (IRDS ) на IEEE до 2037 година се чака полупроводниковите технологии да доближат равнища от към 0,5 nm с дължина на контролния електрод от 12 nm.
Изследователският екип показва, че ширината на канала, ръководен от електрическото поле на един-единствен по мярка MTB електрод може да бъде 3,9 nm, което надалеч надвишава прогнозите.
Разработеният от екипа транзистор, основан на MTB има преимущества и във връзка с работата на веригата. Технологии като FinFET или Gate-All-Around, употребявани за миниатюризиране на силициеви полупроводникови устройства страдат от паразитен потенциал заради комплицираните структури на устройствата, което води до неустойчивост във високоинтегрираните схеми. За разлика от тях транзисторът, основан на MTB свежда до най-малко паразитния потенциал заради простата си конструкция и извънредно дребната широчина на контролните електроди.
Едноизмерната железна фаза, реализирана посредством епитаксиален напредък е нов развой, който може да бъде прибавен в процесите на ултраминиатюрните полупроводници и се чака да бъде основна технология за създаването на разнообразни електронни устройства с ниска консумация и висока продуктивност в бъдеще.
