Физиците създадоха нов тип памет за енергийно ефективни компютри
Изследователи от университета в Оберн разгласиха в списанието ACS Applied Materials & Interfaces резултатите от работата си, демонстрираща нов механизъм за превключване в мемристорите въз основата на дихалкогониди на преходни метали (ДПМ). Екипът, управителен от доктор Марсело Курода, откри, че комбинацията от железни електроди и атомни празноти в кристалната решетка разрешава дейно превключване на материала сред изолационното и металното положение.
Изследването сподели, че изборът на избрани железни електроди понижава енергийната преграда, която задържа материала в едно положение, което в композиция с атомните недостатъци обезпечава по-ефективно превключване. Учените са употребявали калкулации, основани на първите правила, за моделиране на физичните свойства на ДПМ при разнообразни условия, и резултатите изцяло подхождат на пробните данни.
Особото на ДПМ е в способността им да съществуват под формата на кристални филми с дебелина единствено няколко атома. Това свойство ги прави идеални претенденти за основаване на свръхтънки енергийно ефикасни памети. Мемристорите въз основата на ДПМ могат да имитират процеса на подсилване и намаляване на връзките сред невроните, което отваря вероятности за невроморфни калкулации.
Практическото значение на откритието се състои във опцията за основаване на компютърна памет с ниска консумация на сила за разнообразни устройства – от центрове за обработка на данни за изкуствен интелект до портативна електроника и медицински импланти. Според доктор Курода, това фундаментално проучване има директно практическо приложение и може да се трансформира в ключ към основаването на технологии от последващо потомство, които ще бъдат по едно и също време мощни и екологични.
