Санкциите вече нямат значение: Huawei патентова 3nm технология за производство на чипове по метода SAQP
Huawei и SMIC патентоваха технология за произвеждане на 3-нанометрови полупроводници по метода SAQP. Технологията дава опция за произвеждане на чипове без съоръжение за дълбока ултравиолетова литография, чието потребление е неразрешено на Huawei от глобите на Съединени американски щати.
В края на март 2024 година Huawei Technologies патентова технологията за произвеждане на 5 nm чипове по метода SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning). Партньор на компанията беше доставчикът на държавно съоръжение SiCarrier.
Методът включва четворно патерниране на линиите върху силициевите пластини. Той усилва плътността на транзисторите върху пластината, а с това и продуктивността на чипа. Методът разрешава потреблението на съоръжение за фотолитография в условия на дълбока ултравиолетова светлина за произвеждане на чипове по софтуерен развой от 7 nm и повече. Но тази нова технология е подобаваща и за 3 nm чипове.
Както отбелязва изданието Tom’s Hardware, разноските за произвеждане на 5nm или 3nm чипове благодарение на SAQP съвсем несъмнено ще бъдат доста по-високи, в сравнение с при потребление на EUV съоръжение. Независимо от това, патентът за 3nm произвеждане посредством SAQP е доста значим за китайската полупроводникова промишленост (особено за създаването на суперкомпютри).
Досега единствено тайванската компания TSMC, най-големият снабдител на полупроводници в света, е съумяла да овладее авангардния 3nm развой. Тя създава чиповете за Apple и Qualcomm.
