Във флагманските смартфони Huawei Mate 70 е открита памет на SK hynix, която не би трябвало да е там
Експертите на TechInsights не престават да проучват компонентната база на серията смарт телефони Mate 70 на Huawei, показана през есента на изтичащата година, като най-новото им изобретение е на DRAM и NAND чипове, създадени от SK hynix като част от Mate 70 Pro и Mate 70 Pro Plus, макар че глобите на Съединени американски щати теоретично би трябвало да са лимитирали достъпа на китайския колос до такива чипове памет.
Както оповестява South China Morning Post, навътре в смарт телефона Huawei Mate 70 Pro откривателите са разкрили 12 GB DRAM чип на SK hynix и 512 GB NAND флаш памет от същата марка. В по-скъпия модел Mate 70 Pro Plus сходен чип за флаш памет е смесен с 16 GB DRAM чип, още веднъж създаден от SK hynix.
Както изясняват създателите на изследването, южнокорейската компания е употребила 14 nm развой в композиция с EUV литография за производството на двата DRAM чипа. По принцип се счита, че SK hynix е почнала да доставя такава памет през втората половина на 2021 гoдина, девет месеца след влизането в действие на рестриктивните мерки за експорт на Huawei Technologies от страна на Съединени американски щати. SK hynix отхвърля обстоятелството на съдействие с Huawei през този интервал, само че представители на TechInsights акцентират, че множеството от флагманските смарт телефони, пуснати от Huawei през предходната година са употребявали чипове памет на SK hynix. Много модели към този момент употребяват памет китайско произвеждане: DRAM се доставя от CXMT, а NAND се създава от YMTC. По някаква причина обаче Huawei към момента избира да оборудва своите смарт телефони с памет на SK hynix.
