Учени от MIT създадоха бустер за CPU и GPU – миниатюрен дискретен GaN-транзистор
Едва успяхме да свикнем с чиплетите, а учени от Съединени американски щати към този момент бързат да разгласят изобретяването на дилетите (dielets) – още по-миниатюрни полупроводникови съставни елементи в чиповете. Дилетите ще се трансфорат в самобитни ускорители за чиповете, повишавайки техните мощностни и честотни характерности.
По създание те съставляват необикновено дребни дискретни транзистори от галиев нитрид (GaN), които се слагат върху готовия чип.
Дилетите са създадени от учени, ръководени от експерти от Масачузетския софтуерен институт (MIT). Целта е била да се спестят средства от галиевия нитрид (GaN) – вторият по известност полупроводник след силиция. Той обаче е безценен, мъчно се интегрира в CMOS развой, а доставките му се управляват от Китай.
Най-добрият метод да се спестят пари е да се създадат обособени транзистори от галиев нитрид и да се слагат върху силициеви чипове единствено там, където ще има максимален резултат. Дискретните транзистори върху интегрална скица са концепция, която е толкоз необикновена, че даже е завладяваща. В MIT са уверени: тя ще понижи разноските за потребление на галиев нитрид, ще понижи топлинния бюджет на чипа и ще обезпечи впечатляващо нарастване както на работните честоти, по този начин и на енергийната успеваемост.
За реализацията на концепцията е създаден набор от принадлежности, основан на 22 nm развой на Intel. На първо място, транзисторите бяха създадени допустимо най-плътно върху поставка от галиев нитрид. Размерът на всеки транзистор е 240 × 410 µm. След това транзисторите бяха нарязани на обособени детайли благодарение на лазер. За монтажа върху чипа е употребена мед – за разлика от златото тя разрешава заваряване на частите при температури под 400°C, което обезпечава щадящ режим за материалите на бъдещия чип.
MIT е създал и инструмент за точно подравняване на медните контакти на дискретните транзистори с контактните подложки на чипа. Операцията изисква точност от нанометри. Устройството реалокира поставка с транзистори върху чипа, поддържана от вакуум и слага транзисторите благодарение на топлота и налягане.
Тъй като в процеса е употребявано общоприетото съоръжение на Intel за произвеждане на 22 nm FinFET транзистори, беше допустимо да се прибавят компенсационни кондензатори за възстановяване на усилването и стабилността. Тестовият пример е радиочестотен усилвател с повърхност единствено половин квадратен милиметър. Силициевият чип с дилети показва доста по-добри характерности на увеличаване на сигнала от аналозите от чист силиций.
Учените са уверени, че това ще бъде пробив в връзките и силовата електроника. Въпреки това технологията към момента не е задоволително зряла, с цел да бъде внедрена в търговски процеси.
