Дълго време способността да се произвежда HBM памет в прилични

Дълго време способността да се създава HBM памет в прилични количества за потребностите на Nvidia осигуряваше на SK hynix статут на водач в този обещаващ и печеливш сегмент, а в избран миг компанията изпревари Samsung освен по облага, само че и по доходи. Според известия в южнокорейските медии, във връзка с размера на производството на HBM неотдавна Samsung е изпреварила SK hynix, с което наруши хегемонията на последната.

По данни на изданието Business Korea, Samsung Electronics неотдавна е съумяла да доближи месечна обработка на 170 000 силициеви пластини с HBM чипове, до момента в който преди този момент този брой не е надвишавал 150 000 на месец. При новия крайъгълен камък Samsung оставя зад себе си SK hynix, която е в положение да създава месечно 160 000 силициеви пластини с чипове памет вид HBM.

Според анализатори реваншът на Samsung е станал вероятен с помощта на преориентирането на индустриалните линии от произвеждане на DRAM към произвеждане на HBM, както и на подобряването на софтуерните процеси, като в тази посока корейският колос се движи от втората половина на предходната година, значително с помощта на промяната на управлението на подразделението DS, която се състоя през май 2024 година. Към септември тази година HBM3E на Samsung най-сетне съумя да премине сертификация от Nvidia, макар че преди този момент страдаше от прегряване и не съумя да отговори на всички условия на този клиент. Samsung стартира да доставя сходна памет и на Гугъл, а неотдавна създадената HBM4 към този момент се доставя от компанията на нейните клиенти под формата на мостри.

Samsung уголемява индустриалните си линии P3 и P4 в Пьонгтаек, с цел да създава DRAM кристали по усъвършенствания развой от шесто потомство 1c, с цел да отговори по едно и също време на търсенето на HBM. Изграждането на линията P5 е ускорено, което ще усили размера на произвеждане наизуст в бъдеще. Докато Samsung се концентрира върху преоборудването на съществуващите индустриални мощности, с цел да отговори на потребностите на производството на HBM, SK hynix се пробва да пусне по-бързо в употреба профилирани индустриални мощности.

През идната година специалистите чакат, че месечните размери на обработка на 200 000 силициеви пластини с HBM ще бъдат овладени както от Samsung, по този начин и от SK hynix. До средата на 2026 година първата компания ще резервира преимуществото си, само че в случай че през лятото SK hynix пусне в употреба своето оборудване M15X, тя може да си върне водачеството.

В сегмента HBM4 триумфът на двете компании ще зависи от разнообразни фактори. Докато Samsung е в положение да създава персонализирани базови кристали, SK hynix ще би трябвало да разчита на услугите на TSMC в тази област. Тази година делът на HBM на пазара на DRAM би трябвало да надвиши 20%, макар че предходната година той беше 8%. В същото време производството на HBM е 3-5 пъти по-изгодно на настоящето ценово ниво, в сравнение с производството на стандартна DDR. Вертикалната интеграция на бизнеса на Samsung, съгласно някои специалисти, ще ѝ обезпечи избрани преимущества на пазара на HBM.