Представена е многослойната оперативна памет 3D X-DRAM, която може да революционизира пазара, но е малко вероятно това да стане
Американската компания NEO Semiconductor разгласи завършването на създаването и приемането на патенти за първата в света многослойна DRAM памет, основана по прилика с 3D NAND. Посочва се, че преходът към “триизмерния “ вид оперативна памет единствено през идващите 10 години ще усили плътността и потенциала на DRAM чиповете осем пъти. Това ще подтиква развиването на платформи с изкуствен интелект и компютрите като цяло, в случай че технологията се поддържа от производителите.
На премиерата на 3D NAND паметта видяхме, че скокът нагоре – увеличението на броя на пластовете в микросхемата, вместо площта на единичния кристал – това е доста, доста комфортно. Samsung беше първият, който се потвърди в това, представяйки през август 2013 г V-NAND флаш-памет с 24 пласта. Изминаха 10 години и през днешния ден фирмите оферират 3D NAND с повече от 200 пласта и дават обещание в близко бъдеще 500-слойни чипове. Такъв прогрес в региона на RAM би бил доста издирван през днешния ден, когато светът е залят от интерес към огромните езикови модели за AI.
Компанията NEO Semiconductor предлага такова решение и е подготвена да лицензира индустриалната технология за всички заинтригувани компании. За страдание, водещите производители на DRAM до момента не са показали интерес към 3D X-DRAM. Самият разработчик в прес-съобщението също не съумя да уточни интереса на промишлеността към този план, което повтаря обстановката с друго революционно откритие на компанията – X-NAND флаш-паметта. Това допуска, че развиването на технологията е много жестоко или необещаващо от позиция на Samsung, SK hynix и Micron.
Все отново остава опцията първите три водача на пазара на DRAM да не се втурнат към 3D X-DRAM, до момента в който разполагат с планарни технологии за произвеждане на оперативна памет. Всички те имат проекти да усвоят производството на чипове със стандарти до 10 nm или по-малко, пътят към който е отсрочен и неведнъж тестван. Когато този запас се изчерпи, тогава DRAM паметта ще стартира да става многослойна.
Разработчикът на 3D X-DRAM все още разкрива малко информация за новия артикул. На първо място, нарасналата компактност на клетките и наслояването се реализират посредством елиминиране на кондензаторите в клетката с памет – единствено транзистор и плаващ заряд. Това е по този начин наречената FBC клетка (floating body cell). Така се реализира елементарност на архитектурата и структурата, както и на индустриалния развой. Например, за главните стадии от обработката на кристалите за 3D X-DRAM ще бъде задоволителен един фотошаблон, съгласно NEO Semiconductor. В същото време, няма да има потребност да се преследват напреднали и тънки софтуерни процеси – всичко ще стартира да работи на стадия на потребление на зрели механически процеси.
Компанията чака да види 3D X-DRAM в произвеждане до 2025 година или към този интервал. Надяват се да стартират със 128GВ микросхеми, а след десетина години мечтаят да доближат компактност от 1 TВ, какъвто беше казусът с 3D NAND паметта. Но без изказвания от страна на Samsung и други в поддръжка на начинанието, това е мъчно за поверие. Ще се радваме да бъркаме. Както знаете, в никакъв случай няма задоволително памет.
