... свойства на паметта. Изследователите очакват техните открития да станат основа за бъдещото електронно инженерство. Изследването на екипа е публикувано в списание Nature в началото на април.
Памет Dram - Новини
UltrаRАМ нoвият тип пaмeт ĸoйтo щe зaмeни DRАМ и NАND
...... и т.н. Bъпpeĸи чe щe тpябвa дa ce пpeнaпишe мнoгo coфтyep, caмитe ĸoмпютpи щe cтaнaт пo-oпpocтeни и мнoгo мнoгo пo-eфeĸтивни, пише kaldata.com. Последвайте канала на
Анализаторите на TrendForce установиха че през първото тримесечие на тази
...... ограничаване на производствените обеми на DDR4 паметите. Поради тази причина последната ще поскъпне по-бързо от DDR3, която тайванските производители успяват да доставят в достатъчни количества.
Както стана известно от източник на провелата се през декември
...... състои от управляващ транзистор и пиезокерамичен кондензатор. Именно включването на пиезокерамичния елемент прави клетката много голяма. Как Micron е решил този проблем, не се съобщава.
Цената на DRAM чиповете памет и NAND флаш памет на спот пазара
...... не е наблюдавано. Вероятно това се дължи на факта, че цената не се е увеличила толкова много, но това в бъдеще може да се промени.
Модулите HBM3E трансферира данни със 1 15 терабайта в секундаПаметите HBM3E
...... на усъвършенстваната технология за формовано масово препълване (MR-MUF2). Новата памет осигурява и обратна съвместимост, което ще позволи да се използва в съществуващи ускорители с HBM3.
Samsung Electronics обяви първата в индустрията 128GB DRAM памет която
...... на хостовете динамично да разпределят паметта според нуждите. Новата технология ще позволи на клиентите да подобрят ефективността на използваните ресурси, като същевременно намалят експлоатационните разходи.
Американската компания NEO Semiconductor обяви завършването на разработката и получаването
...... страна на Samsung и други в подкрепа на начинанието, това е трудно за вярване. Ще се радваме да грешим. Както знаете, никога няма достатъчно памет.
Остава отворен единствено въпросът за дълготрайността на UK III VБританска разработка
...... DRAM и NAND в компютрите и мобилните устройства на бъдещето – те ще се включват моментално и ще консумират значително по-малко енергия от сегашните устройства.
Учени от Университета в Ланкастър са патентовали ново устройство с
...... продукт. От университета легитимират потенциала на идеята с желанието за сътрудничество на редица компании, част от които вече са част от работния процес в Ланкастър.