Памет Dram - Новини

Изследователи от Корейския институт за напреднали науки и технологии KAIST

Изследователи от Корейския институт за напреднали науки и технологии KAIST

...

... свойства на паметта. Изследователите очакват техните открития да станат основа за бъдещото електронно инженерство. Изследването на екипа е публикувано в списание Nature в началото на април.



Анализаторите на TrendForce установиха че през първото тримесечие на тази

Анализаторите на TrendForce установиха че през първото тримесечие на тази

...

... ограничаване на производствените обеми на DDR4 паметите. Поради тази причина последната ще поскъпне по-бързо от DDR3, която тайванските производители успяват да доставят в достатъчни количества.




Модулите HBM3E трансферира данни със 1 15 терабайта в секундаПаметите HBM3E

Модулите HBM3E трансферира данни със 1 15 терабайта в секундаПаметите HBM3E

...

... на усъвършенстваната технология за формовано масово препълване (MR-MUF2). Новата памет осигурява и обратна съвместимост, което ще позволи да се използва в съществуващи ускорители с HBM3.



Samsung Electronics обяви първата в индустрията 128GB DRAM памет която

Samsung Electronics обяви първата в индустрията 128GB DRAM памет която

...

... на хостовете динамично да разпределят паметта според нуждите. Новата технология ще позволи на клиентите да подобрят ефективността на използваните ресурси, като същевременно намалят експлоатационните разходи.