Учени патентоваха памет, която комбинира предимствата на DRAM и SSD
Учени от Университета в Ланкастър са патентовали ново устройство с електронна памет в Съединени американски щати. То може „ да реши енергийната рецесия в цифровите технологии “, предават от Science Daily. Паметта е наречена „ Universal Memory ” и комбинира преимуществата на DRAM и SSD паметите като за в този момент съумява да се пребори с обичайните дефекти в този метод.
Голямото преимущество на паметта е, че в случай че се употребява от дата центрове да вземем за пример, тя може да смъкна разхода на сила с една пета, настояват създателите.
Специфични елементи за технологията, която ще стигне до потребителя, към момента не са налични. Става ясно, че е употребена квантова механика в процеса на работа.
Можете да научите повече за научната част на плана от обявата на екипа в журнала Nature.
DRAM паметта е доста бърза и икономична, само че информацията на нея е уязвима и би трябвало да бъде опреснявана непрекъснато, с цел да се избегне загуба. Флаш паметта дава по-висока сигурност на информацията. За сметка на това има по-бавна скорост, по-голяма консумация на ток и по-бърза обезценка.
Професорът по физика Манус Хейне от университета споделя:
„ Нашето устройство предлага в действителност дълъг живот, може да записва и трие информация употребявайки десетки пъти по-малко сила от DRAM. ”
Universal Memory може да се опита да завземе пазара на DRAM, който е на стойност от 100 милиарда $, както и пазара на flash памет. Може ли това да е старт на нова епоха в съхранението на информация?
Все отново не би трябвало да взимаме всичко това за чиста монета. Поне не преди да забележим повече детайлности, проби в действителна среда и подготвен комерсиален артикул. От университета легитимират капацитета на концепцията с желанието за съдействие на редица компании, част от които към този момент са част от работния развой в Ланкастър.
Голямото преимущество на паметта е, че в случай че се употребява от дата центрове да вземем за пример, тя може да смъкна разхода на сила с една пета, настояват създателите.
Специфични елементи за технологията, която ще стигне до потребителя, към момента не са налични. Става ясно, че е употребена квантова механика в процеса на работа.
Можете да научите повече за научната част на плана от обявата на екипа в журнала Nature.
DRAM паметта е доста бърза и икономична, само че информацията на нея е уязвима и би трябвало да бъде опреснявана непрекъснато, с цел да се избегне загуба. Флаш паметта дава по-висока сигурност на информацията. За сметка на това има по-бавна скорост, по-голяма консумация на ток и по-бърза обезценка.
Професорът по физика Манус Хейне от университета споделя:
„ Нашето устройство предлага в действителност дълъг живот, може да записва и трие информация употребявайки десетки пъти по-малко сила от DRAM. ”
Universal Memory може да се опита да завземе пазара на DRAM, който е на стойност от 100 милиарда $, както и пазара на flash памет. Може ли това да е старт на нова епоха в съхранението на информация?
Все отново не би трябвало да взимаме всичко това за чиста монета. Поне не преди да забележим повече детайлности, проби в действителна среда и подготвен комерсиален артикул. От университета легитимират капацитета на концепцията с желанието за съдействие на редица компании, част от които към този момент са част от работния развой в Ланкастър.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ