Сегнетоелектричният материал премахва недостатъците на сегашните устройства... Емил Василев 8:30

Сегнетоелектричният материал отстранява минусите на сегашните устройства...

Емил Василев 8:30 | 29.07.2024 1 Сподели

Най-четени

IT НовиниДаниел Десподов - 16:11 | 26.07.2024

Китай стартира построяването на първата в света атомна електроцентрала, употребяваща разтопени ториеви соли

АвтомобилиСветослав Димитров - 16:32 | 26.07.2024

Tesla прикани притежателите на електрически автомобили да не се пробват да ускорят зареждането с мокра забрадка

ТелефониСветослав Димитров - 13:46 | 23.07.2024

Експерти обясниха за какво е неразрешено да държите смарт телефона върху мека мебел, до момента в който се зарежда

Емил Василевhttps://www.kaldata.com/

Физици от Масачузетския софтуерен институт (MIT) са създали транзистор въз основата на сегнетоелектричен материал, който може да докара до гражданска война в електрониката. Този свръхтънък материал, основан от същия екип през 2021 гoдина разделя позитивните и негативните заряди в разнообразни пластове.

Екипът, управителен професорите по физика Пабло Харильо-Хереро и Реймънд Ашури показва, че новият им транзистор превъзхожда актуалните индустриални стандарти по няколко основни параметъра.

Новият транзистор се основава на сегнетоелектричен материал, спретнат в паралелна настройка, която не се среща в природата. Когато се приложи електрическо поле, пластовете на материала леко се изместват, променяйки позициите на атомите на бор и азот, което доста трансформира електронните му свойства.

Новият транзистор се отличава със способността си да превключва сред позитивни и негативни заряди със скорост от наносекунди, което е от решаващо значение за високопроизводителните компютри и обработката на данни. Освен това транзисторът показва изключителна устойчивост, като не демонстрира признаци на деградация даже след 100 милиарда превключвания. За съпоставяне, стандартните устройства за флаш памет са склонни към изхабяване и изискват комплицирани способи за разпределение на интервенциите за четене и запис в целия чип.

Ултратънкият транзистор с дебелина единствено няколко милиардни елементи от метъра отваря вратата към по-плътна компютърна памет и по-енергоефективни транзистори.

Въпреки големия капацитет, към момента съществуват провокации, които попречват необятното разпространяване на технологията. Основната компликация се състои в нуждата от „ отглеждане„ на тези материали в мащаб на пластини.

Изследователският екип също по този начин изследва опцията за потребление на оптични импулси за иницииране на сегнетоелектричество и тестване на границите на превключване на материала. Настоящият способ за произвеждане на новите сегноелектрици е комплициран и не е подобаващ за всеобщо произвеждане.

Водещите откриватели акцентират, че решаването на актуалните проблеми ще проправи пътя за потреблението на този материал в бъдещата електроника.

„ Ако тези проблеми могат да бъдат решени, този материал ще се впише в бъдещата електроника по доста способи. Това е доста вълнуващо. “

отбелязва Реймънд Ашури

Пабло Харильо-Хереро изрази убеденост, че тяхната разработка може да промени света през идващите 10-20 години.