DDR5 RAM памет показаха корейци на CES 2020
Производството на новите модули ще стартира тази година
Оперативната DDR5 памет се чака да влезе в серийно произвеждане през 2020 година
(снимка: SK Hynix)
Основните разработчици на районен съд и сървърни платформи – Intel и AMD – към момента не са оповестили поддръжка на DDR5 RAM, само че такива памети към този момент дебютираха на ревюто CES 2020 в Лас Вегас. Показа ги корейската компания SK Hynix.
Модулът DDR5-4800 MHz е от вид RDIMM с потенциал 64 GB, само че се чака производителят да предложи на пазара и други варианти. Според слуховете, всеобщото произвеждане на DDR5 RAM би трябвало да стартира тази година.
още по тематиката
Несбъднати прогнози за старта на производството на DDR5 RAM имаше и през предходната година, тъй че и този анонс на новите памети може да претърпи корекции във времето, що се отнася до пазарната реализация.
DDR5 идва да размени DDR4 паметта, като предложи увеличена пропускателна дарба (32 GB/s против 25,6 GB/s), само че също по този начин и по-ниско работно напрежение – до 1,1 V. Модулите ще се създават по 14-нм софтуерен развой.
Оперативната DDR5 памет се чака да влезе в серийно произвеждане през 2020 година
(снимка: SK Hynix)
Основните разработчици на районен съд и сървърни платформи – Intel и AMD – към момента не са оповестили поддръжка на DDR5 RAM, само че такива памети към този момент дебютираха на ревюто CES 2020 в Лас Вегас. Показа ги корейската компания SK Hynix.
Модулът DDR5-4800 MHz е от вид RDIMM с потенциал 64 GB, само че се чака производителят да предложи на пазара и други варианти. Според слуховете, всеобщото произвеждане на DDR5 RAM би трябвало да стартира тази година.
още по тематиката
Несбъднати прогнози за старта на производството на DDR5 RAM имаше и през предходната година, тъй че и този анонс на новите памети може да претърпи корекции във времето, що се отнася до пазарната реализация.
DDR5 идва да размени DDR4 паметта, като предложи увеличена пропускателна дарба (32 GB/s против 25,6 GB/s), само че също по този начин и по-ниско работно напрежение – до 1,1 V. Модулите ще се създават по 14-нм софтуерен развой.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ