Нови 128 MB чипове STT-MRAM памет с рекордно бързо време на запис
Японските експерти от университета Тохоку показах първите в света 128 MB чипове памет вид STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Времето за запис на информация в новата памет не надвишава 14 наносекунди. Това е рекордно малко време и новите чипове могат да бъдат употребявани като кеш памет, в устройствата с детайли на изкуствен интелект и други сходни.
STT-MRAM освен е рекордно бърза, само че и употребява малко сила. Тя е енергонезависима и сходно на флаш паметта, резервира информацията след прекъсване на зареждането.
През миналата 2018 година единствено три завода в света започнаха производството на STT-MRAM памет. За страдание, потенциалът на тези чипове към този момент е в рамките на 8-40 MB, което е малко за актуалната компютърна техника.
Но откривателите от CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) съумяха да да интегрират на еднакъв кристал масив STT-MRAM памет с общ потенциал 128 MB. Това е реализирано посредством миниатюризация на клетките памет с потреблението на магнитен тунелен преход (magnetic tunnel junction, MTJ) в общоприетите CMOS технологии.
Времето на запис на новите чипове не надвишава 14 наносекунди при захранващо напрежение 1,2 V .
Същата група експерти работи и върху адаптирането на новата технология към днешното всеобщо произвеждане на памети. Това значи, че новата STT-MRAM памет би трябвало да излезе на пазара до края на тази година.
STT-MRAM освен е рекордно бърза, само че и употребява малко сила. Тя е енергонезависима и сходно на флаш паметта, резервира информацията след прекъсване на зареждането.
През миналата 2018 година единствено три завода в света започнаха производството на STT-MRAM памет. За страдание, потенциалът на тези чипове към този момент е в рамките на 8-40 MB, което е малко за актуалната компютърна техника.
Но откривателите от CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) съумяха да да интегрират на еднакъв кристал масив STT-MRAM памет с общ потенциал 128 MB. Това е реализирано посредством миниатюризация на клетките памет с потреблението на магнитен тунелен преход (magnetic tunnel junction, MTJ) в общоприетите CMOS технологии.
Времето на запис на новите чипове не надвишава 14 наносекунди при захранващо напрежение 1,2 V .
Същата група експерти работи и върху адаптирането на новата технология към днешното всеобщо произвеждане на памети. Това значи, че новата STT-MRAM памет би трябвало да излезе на пазара до края на тази година.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ