Специалисти създадоха кондензатори за флаш памет на бъдещето
Учени от Московския физико-технически институт в Долгопрудний и техни сътрудници от Съединени американски щати сътвориха неповторими кондензатори от хафниев оксид, които са подобаващи за потребление като кафези на свръхбърза и съвсем " безконечна " флаш памет, съобщи ТАСС.
" Хрумването да се употребяват тези материали не е ново, само че всички открити по-рано субстанции с сходни свойства заради разнообразни аргументи не би трябвало да се употребяват в наноелектрониката. Създаденият от нас кондензатор може да обезпечи до 10 милиарда цикъла на презаписване, т.е. броят им е 100 хиляди пъти по-голям в съпоставяне със актуалните компютърни флашки ", съобщи ръководителят на лаборатория в института Андрей Зенкевич, представен от Българска телеграфна агенция.
Физиците от дълго време знаят, че хафниевият оксид и някои други субстанции, като солите на винената киселина, бария и титана, имат необикновени свойства - електроните са разпределени неравномерно, само че ситуацията им може да бъде направлявано благодарение на електрично поле. Това разрешава да се употребяват сегнетоелектрици - кристали на тези субстанции, за основаване на нов вид енергонезависима памет, в която данните се съхраняват под формата на групички електрони.
До наскоро физиците не бяха наясно по какъв начин се прави процесът на " презаписване " на ситуацията на електрони в сходни материали. Това пречеше на основаването на кафези на паметта и на комплицирани структури въз основата на сходен пласт. Преди година физици от института и Съединени американски щати направиха първата крачка към решаването на тази задача, изяснявайки по какъв начин се трансформира устройството на сегнетоелектрици при попадането им в електрично поле.
Благодарение на тези данни Зенкевич и сътрудниците му направиха идната крачка - сътвориха първите пълноценни кондензатори въз основата на хафниев оксид, които е допустимо да бъдат създадени благодарение на способи на актуалната наноелектроника. Става въпрос за тъничък пласт от сегнетоелектрици, чиято дебелина е по-малка от 10 нанометра. Към него са добавени електроди от волфрам и титанов нитрид. /БТА
" Хрумването да се употребяват тези материали не е ново, само че всички открити по-рано субстанции с сходни свойства заради разнообразни аргументи не би трябвало да се употребяват в наноелектрониката. Създаденият от нас кондензатор може да обезпечи до 10 милиарда цикъла на презаписване, т.е. броят им е 100 хиляди пъти по-голям в съпоставяне със актуалните компютърни флашки ", съобщи ръководителят на лаборатория в института Андрей Зенкевич, представен от Българска телеграфна агенция.
Физиците от дълго време знаят, че хафниевият оксид и някои други субстанции, като солите на винената киселина, бария и титана, имат необикновени свойства - електроните са разпределени неравномерно, само че ситуацията им може да бъде направлявано благодарение на електрично поле. Това разрешава да се употребяват сегнетоелектрици - кристали на тези субстанции, за основаване на нов вид енергонезависима памет, в която данните се съхраняват под формата на групички електрони.
До наскоро физиците не бяха наясно по какъв начин се прави процесът на " презаписване " на ситуацията на електрони в сходни материали. Това пречеше на основаването на кафези на паметта и на комплицирани структури въз основата на сходен пласт. Преди година физици от института и Съединени американски щати направиха първата крачка към решаването на тази задача, изяснявайки по какъв начин се трансформира устройството на сегнетоелектрици при попадането им в електрично поле.
Благодарение на тези данни Зенкевич и сътрудниците му направиха идната крачка - сътвориха първите пълноценни кондензатори въз основата на хафниев оксид, които е допустимо да бъдат създадени благодарение на способи на актуалната наноелектроника. Става въпрос за тъничък пласт от сегнетоелектрици, чиято дебелина е по-малка от 10 нанометра. Към него са добавени електроди от волфрам и титанов нитрид. /БТА
Източник: dnesplus.bg
КОМЕНТАРИ