Ще охлаждат електрониката с изкуствени кристали
Учени дават обещание софтуерен развой с необятно приложение
Проф. Дейвид Кейхил управлява теоретичен екип, който изследва свойствата на материали борен арсенид за разпръскване на топлината, отделяна при работата на електронните устройства (снимка: L. Brian Stauffer)
Изследователи от Университета на Илинойс в Ърбан-Шампейн и Тексаския университет в Далас настояват, че са разкрили нов метод за разпръскване на топлината, обособяване от полупроводниковите съставни елементи – събитие, което от много време е спънка в устрема на разработчиците да усъвършенстват непрекъснато характерностите на на чиповете.
Разсейването на топлината от употребяваните сега силициеви кристали за чипове е неефективно. Топлинната проводимост на диаманта, да вземем за пример, е към 15 пъти по-голяма, само че необятното му потребление е мъчно, защото цената на естествените диаманти е висока, а изкуствените съдържат структурни недостатъци, които понижават топлинната проводимост.
Резултатите от новото научно проучване удостоверяват на процедура съществуването на материали със свръхвисока топлопроводимост, планувани теоретично по-рано. Участниците в плана разчитат на кристали от борен арсенид – материал, който не се среща в природата.
Използвайки вакуумно отсрочване, учените са формирали конструкция с ниска компактност на дефектите и висока топлопроводимост. Експериментирайки с параметрите на процеса и материалите, те са съумели да получат материал, чиято топлопроводимост е три пъти по-висока от тази на най-хубавите материали, употребявани понастоящем в топлинните разпределители.
още по тематиката
Резултатът от идващия стадий на проучването би трябвало да бъде софтуерен процеса, подобаващ за потребление в необятен набор от приложения, надяват се учените.
Проф. Дейвид Кейхил управлява теоретичен екип, който изследва свойствата на материали борен арсенид за разпръскване на топлината, отделяна при работата на електронните устройства (снимка: L. Brian Stauffer)
Изследователи от Университета на Илинойс в Ърбан-Шампейн и Тексаския университет в Далас настояват, че са разкрили нов метод за разпръскване на топлината, обособяване от полупроводниковите съставни елементи – събитие, което от много време е спънка в устрема на разработчиците да усъвършенстват непрекъснато характерностите на на чиповете.
Разсейването на топлината от употребяваните сега силициеви кристали за чипове е неефективно. Топлинната проводимост на диаманта, да вземем за пример, е към 15 пъти по-голяма, само че необятното му потребление е мъчно, защото цената на естествените диаманти е висока, а изкуствените съдържат структурни недостатъци, които понижават топлинната проводимост.
Резултатите от новото научно проучване удостоверяват на процедура съществуването на материали със свръхвисока топлопроводимост, планувани теоретично по-рано. Участниците в плана разчитат на кристали от борен арсенид – материал, който не се среща в природата.
Използвайки вакуумно отсрочване, учените са формирали конструкция с ниска компактност на дефектите и висока топлопроводимост. Експериментирайки с параметрите на процеса и материалите, те са съумели да получат материал, чиято топлопроводимост е три пъти по-висока от тази на най-хубавите материали, употребявани понастоящем в топлинните разпределители.
още по тематиката
Резултатът от идващия стадий на проучването би трябвало да бъде софтуерен процеса, подобаващ за потребление в необятен набор от приложения, надяват се учените.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ