Toshiba пуска първата UFS 3.0 флаш памет
Теоретичната скорост на трансфер доближава 11,6 Gbps по една линия
Флаш паметите по стандарта UFS 3.0 са подобаващи за мобилни и VR устройства (източник: Toshiba Memory America)
Компанията за памети Toshiba Memory America пусна първите в промишлеността мостри на флаш модули по стандарта UFS 3.0 с потенциал до 128GB. Очаква се производителят да предложи и чипове с потенциал 256GB и 512GB.
Новите UFS 3.0 (Universal Flash Storage) модули употребяват 96-слойна 3D памет BiCS Flash на Toshiba. С високите си скорости на четене и запис, сходна памет е подобаваща за потребление в смарт телефони, таблети и устройства за допълнена и виртуална действителност.
BiCS Flash паметта и контролерът са поместени в корпус по стандарта JEDEC с размери 11,5×13 мм. В режим на цялостен дуплекс се поддържат по едно и също време четене и запис на данни сред процесора и UFS устройството.
Теоретичната скорост на UFS 3.0 паметта доближава 11,6Gbps на линия (23,2Gbps по две линии), без да се усилва енергийната консумация с повишаване на скоростта, акцентират от производителя.
още по тематиката
При поредно четене и запис UFS 3.0 модулът с потенциал 512GB предлага нарастване на скоростта надлежно със 70% и 80% по отношение на флаш модулите на Toshiba от предходно потомство с потенциал 256GB.
Флаш паметите по стандарта UFS 3.0 са подобаващи за мобилни и VR устройства (източник: Toshiba Memory America)
Компанията за памети Toshiba Memory America пусна първите в промишлеността мостри на флаш модули по стандарта UFS 3.0 с потенциал до 128GB. Очаква се производителят да предложи и чипове с потенциал 256GB и 512GB.
Новите UFS 3.0 (Universal Flash Storage) модули употребяват 96-слойна 3D памет BiCS Flash на Toshiba. С високите си скорости на четене и запис, сходна памет е подобаваща за потребление в смарт телефони, таблети и устройства за допълнена и виртуална действителност.
BiCS Flash паметта и контролерът са поместени в корпус по стандарта JEDEC с размери 11,5×13 мм. В режим на цялостен дуплекс се поддържат по едно и също време четене и запис на данни сред процесора и UFS устройството.
Теоретичната скорост на UFS 3.0 паметта доближава 11,6Gbps на линия (23,2Gbps по две линии), без да се усилва енергийната консумация с повишаване на скоростта, акцентират от производителя.
още по тематиката
При поредно четене и запис UFS 3.0 модулът с потенциал 512GB предлага нарастване на скоростта надлежно със 70% и 80% по отношение на флаш модулите на Toshiba от предходно потомство с потенциал 256GB.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ