Теоретичната скорост на трансфер достига 11,6 Gbps по една линияФлаш

Теоретичната скорост на трансфер достига 11,6 Gbps по една линияФлаш ...

Toshiba пуска първата UFS 3.0 флаш памет.


Теоретичната скорост на трансфер достига 11,6 Gbps по една линия

Флаш паметите по стандарта UFS 3.0 са подходящи за мобилни и VR устройства (източник: Toshiba Memory America)

Компанията за памети Toshiba Memory America пусна първите в индустрията образци на флаш модули по стандарта UFS 3.0 с капацитет до 128GB. Очаква се производителят да предложи и чипове с капацитет 256GB и 512GB.

Новите UFS 3.0 (Universal Flash Storage) модули използват 96-слойна 3D памет BiCS Flash на Toshiba. С високите си скорости на четене и запис, подобна памет е подходяща за използване в смартфони, таблети и устройства за допълнена и виртуална реалност.

BiCS Flash паметта и контролерът са поместени в корпус по стандарта JEDEC с размери 11,5×13 мм. В режим на пълен дуплекс се поддържат едновременно четене и запис на данни между процесора и UFS устройството.

Теоретичната скорост на UFS 3.0 паметта достига 11,6Gbps на линия (23,2Gbps по две линии), без да се увеличава енергийната консумация с нарастване на скоростта, подчертават от производителя.
още по темата
При последователно четене и запис UFS 3.0 модулът с капацитет 512GB предлага увеличение на скоростта съответно със 70% и 80% спрямо флаш модулите на Toshiba от предишно поколение с капацитет 256GB.

Източник: technews.bg