Samsung първи започна доставки на 3-нм чипове
Технологичният колос Samsung разгласи публично началото на доставките на първата в света партида от 3-нанометрови чипове, направени благодарение на GAA транзистори. Събитието се състоя на мястото, където се намира индустриалната линия V1 – в кампуса Хуасеонг, Южна Корея.
На церемонията участваха към 100 души, в това число висши чиновници на Министерството на търговията, индустрията и енергетиката на Южна Корея и всички основни чиновници на Samsung, които способстваха за създаването и всеобщото произвеждане на чипове от последващо потомство. Междувременно Samsung разгласи амбициозната си цел „ да продължи напред с новаторски технологии, с цел да стане най-хубавият в света ”.
Според представител на Samsung Foundry, софтуерните спънки при създаване на 3-нм развой за произвеждане на чипове са отстранени посредством съдействие както с други подразделения на Samsung, по този начин и с индустриални и инфраструктурни сътрудници на компанията.
3-нанометровите чипове на Samsung употребяват транзисторна технология GAA (Gate All Around), която обезпечава по-ефективна консумация на сила и усъвършенствана продуктивност, спрямо FinFET.
Новото решение ще се употребява за произвеждане на процесори за сървъри и центрове за данни, както и за усъвършенствани чипсети за смарт телефони, таблети, портативни устройства, преносими компютри, настолни компютри и друга електроника.
Samsung стартира да създава GAA при започване на 2000-те години и сполучливо приложи технологията за първи път в пилотно произвеждане на 3-нм чипове през 2017 година След няколко години проучвания и проби компанията стартира серийно произвеждане – новите 3-нм чипове ще бъдат доставени на китайска компания за крипто-добив.
Основният съперник на Samsung на пазара за произвеждане на чипове по контракт – тайванската TSMC – се чака да стартира да създава 3-нм чипове през четвъртото тримесечие на 2022 година И двете компании ще се състезават за поръчки от огромни играчи като AMD, Apple, MediaTek, Nvidia и Qualcomm.
