TSMC предлага слепването на силициевите пластини с помощта на технологията Wafer-on-Wafer
Тайванският полупроводников колос TSMC заяви за нова технология, която може да удвои броя на транзисторите в графичните и централните процесори.
Проектът носи името Wafer-on-Wafer Technology и планува съединяването на два чипа, сложени на разнообразни силициеви пластини.
Новият способ има редица прерогативи спрямо употребяваните през днешния ден способи за свързване на полупроводниковите кристали. Сега се употребява промеждутъчен пласт (interposer), до момента в който технологията на TSMC дава опция за директното срастване на две пластини. По този метод се реализират минимални задръжки при обмена на информация сред тях. За извеждането на контактните площадки от този „сандвич“ще се употребяват отвесни електрически връзки (TSV, through-silicon via).
Важно е, че новата технология се назовава Wafer-on-Wafer, а не Die-on-Die. С други думи, планува се слепването силициевите пластини, а не обособените чипове. Тази специфичност усложнява производството на чиповете благодарение на в този момент съществуващото съоръжение. Друг евентуален проблем е растежът на отделяната топлота и вероятно технологията Wafer-on-Wafer в началото ще се употребява при производството на маломощни чипове.
Проектът носи името Wafer-on-Wafer Technology и планува съединяването на два чипа, сложени на разнообразни силициеви пластини.
Новият способ има редица прерогативи спрямо употребяваните през днешния ден способи за свързване на полупроводниковите кристали. Сега се употребява промеждутъчен пласт (interposer), до момента в който технологията на TSMC дава опция за директното срастване на две пластини. По този метод се реализират минимални задръжки при обмена на информация сред тях. За извеждането на контактните площадки от този „сандвич“ще се употребяват отвесни електрически връзки (TSV, through-silicon via).
Важно е, че новата технология се назовава Wafer-on-Wafer, а не Die-on-Die. С други думи, планува се слепването силициевите пластини, а не обособените чипове. Тази специфичност усложнява производството на чиповете благодарение на в този момент съществуващото съоръжение. Друг евентуален проблем е растежът на отделяната топлота и вероятно технологията Wafer-on-Wafer в началото ще се употребява при производството на маломощни чипове.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ