Ползите са по-висока производителност, икономия на енергия и по-малка площТранзисторите

...
Ползите са по-висока производителност, икономия на енергия и по-малка площТранзисторите
Коментари Харесай

Магнитни вентили могат да заменят транзисторите

Ползите са по-висока продуктивност, спестовност на сила и по-малка повърхност

Транзисторите в нано-процесорите могат да бъдат сменени от магнитни вентили (източник: CC0 Public Domain)

Учени от Швейцария потвърдиха забавен феномен на магнетизма на атомно равнище, който може да се приложи в процесорите. Изследването, за което оповестява ETH Zurich, е дело на екип от Института Пол Шерер и Висшето техническо учебно заведение в Цюрих.

Нетипичното държание на магнитите на равнище нанометрови клъстери беше предсказано още преди 60 години от руски физик. Учените от Швейцария са съумели да основат такива структури и в този момент им предсказват ярко бъдеще освен като решения за предпазване на данни, само че и като опция на транзисторите в актуалните нано-процесори.

Стрелката на компаса постоянно указва на север, като по този начин разрешава на хората да дефинират елементарно посоките изток и запад. Разнополюсните магнити се притеглят, а еднополюсните се отблъскват. Но в микромащаба на няколко атома при избрани условия магнитните процеси протичат по различен метод.

При близко взаимоотношение на кобалтовите атоми, да вземем за пример, прилежащите области на намагнитване наоколо до северно-ориентираните атоми са насочени на запад. Ако ориентацията се промени на юг, то атомите в прилежащите области ще трансформират ориентацията си на намагнитеност в посока изток. Важно в тази ситуация е, че ръководещите и подчинените атоми са ситуирани в една повърхност.
още по тематиката
По-рано сходен резултат се наблюдаваше единствено във отвесно разположените атомни структури (една над друга). Разположението на ръководещите и управляемите сектори в една повърхност открива пътя към планиране на изчислителни и съхраняващи архитектури.

Промяна в направлението на намагнитеност на ръководещия пласт е допустима както с електромагнитно поле, по този начин и благодарение на ток. Същите правила са годни и при ръководството на транзистори. При наномагнитните архитектури може да се реализира подтик в развиването както във връзка с продуктивността, по този начин и в икономията на сила, и в намаляването на площта, респ. мащаба на софтуерния развой.

Като вентили, в тази ситуация, ще работят обвързваните зони на намагнитване, ръководени от превключването на намагнитеността в главните зони. Феноменът на свързаната намагнитеност се демонстрира при особена структура на масива. Кобалт с дебелина 1,6 нм е обзет от горната страна и изпод с подложки – надлежно от алуминий и платина. Само по този метод се случва обвързвана намагнитеност север-запад и юг-изток.

Откритият от учените феномен може да докара до появяването на синтетични антиферомагнити, а това от своя страна – да отвори път към нови технологии за запис на данни.
Източник: technews.bg

СПОДЕЛИ СТАТИЯТА


Промоции

КОМЕНТАРИ
НАПИШИ КОМЕНТАР