Излиза първата в света флаш памет 4D NAND
Новият чип на SK Hynix съчетава две технологии - CTF и PUC
96-слойната 4D NAND памет на SK Hynix има компактност 512 гигабита
Корейският производител SK Hynix пусна първата на пазара флаш памет 4D NAND. Това е 96-слойна TLC памет, която употребява технологии CTF (Charge Trap Flash) и PUC (Peri. Under Cell) и има компактност 512 гигабита.
Наименованието 4D NAND отразява прибавянето на още един пласт към досегашната 3D конструкция на флаш паметите. SK Hynix не е иноватор в потреблението CTF технология вместо „ плаващ гейт “, само че компанията за първи път в промишлеността сплотява CTF и PUC технологии в един артикул.
още по тематиката
Заедно с нараствания брой пластове с кафези, съчетанието на двете технологии разрешава понижаване на размера на кристала с над 30%, а броят на чиповете на пластината – с 49%, в съпоставяне със 72-слойния кристал на 3D NAND със същата компактност.
Освен това скоростта на запис е нараснала с 30%, а на четене – с 25%. Пропускателната дарба на входно-изходните линии доближава 1200 Mbps (на линия) при захранващо напрежение 1,2 волта.
SK Hynix възнамерява да стартира серийно произвеждане новите памети до края на годината. В същия период компанията се надява да пусне SSD с потенциал 1TB, в който ще употребява контролер и програмен продукт лична разработка.
96-слойната 4D NAND памет на SK Hynix има компактност 512 гигабита
Корейският производител SK Hynix пусна първата на пазара флаш памет 4D NAND. Това е 96-слойна TLC памет, която употребява технологии CTF (Charge Trap Flash) и PUC (Peri. Under Cell) и има компактност 512 гигабита.
Наименованието 4D NAND отразява прибавянето на още един пласт към досегашната 3D конструкция на флаш паметите. SK Hynix не е иноватор в потреблението CTF технология вместо „ плаващ гейт “, само че компанията за първи път в промишлеността сплотява CTF и PUC технологии в един артикул.
още по тематиката
Заедно с нараствания брой пластове с кафези, съчетанието на двете технологии разрешава понижаване на размера на кристала с над 30%, а броят на чиповете на пластината – с 49%, в съпоставяне със 72-слойния кристал на 3D NAND със същата компактност.
Освен това скоростта на запис е нараснала с 30%, а на четене – с 25%. Пропускателната дарба на входно-изходните линии доближава 1200 Mbps (на линия) при захранващо напрежение 1,2 волта.
SK Hynix възнамерява да стартира серийно произвеждане новите памети до края на годината. В същия период компанията се надява да пусне SSD с потенциал 1TB, в който ще употребява контролер и програмен продукт лична разработка.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ