Наскоро стана известно, че японската компания Tokyo Electron е успяла

Наскоро стана известно, че японската компания Tokyo Electron е съумяла да създаде съвременен способ за произвеждане на 3D NAND чипове. Те употребяват пространствена класификация с отвесни връзки сред пластовете в обособените чипове. Съответно достижението на японците дава опция броят на пластовете памет да се усили до 400.

Каква е особеността на технологията Tokyo Electron?

Според специалистите компанията е съумяла да създаде собствен личен способ за ецване на отворите, който разрешава образуването на отвесни връзки в 3D NAND чиповете памет. Струва си да напомним, че Tokyo Electron не е снабдител на самите чипове, а дава съоръжение на своите сътрудници.

Лидерът в сектора отдавна е американската Lam Research, тъй че японците може и да притиснат конкуренцията, давайки на клиентите опция да усилят продуктивността на поточните линии за произвеждане на чипове. Разработчиците настояват, че новият способ за ецване на отвори може да усили размера на произвеждане на чипове към 2,5 пъти в съпоставяне със в този момент съществуващите технологии.

Освен това японците са основали индустриален цикъл, който не е толкоз нездравословен за околната среда, колкото разработките на съперниците. Това също е значимо за доста компании. Струва си да се означи, че ецването на отворите в чиповете памет NAND е интензивно разрастваща се ниша, тъй че японците имат опция да станат един от водачите измежду доставчиците на това съоръжение.

Анализаторите настояват, че до 2027 година потенциалът на промишлеността ще се усили 4 пъти – до $2 милиарда Сега цифрата е към $500 милиона.

Tokyo Electron се оправя добре – да вземем за пример през предходната година тя съумя да достави съоръжение на стойност съвсем 4 милиарда $, което е към една четвърт от нейните доходи. Ръководството чака, че компанията ще успее да удвои финансовите си резултати, защото общият потенциал на пазара на ецване в полупроводниковата промишленост е към 20 милиарда $.

Разбира се, японците не са постигнали триумфа незабавно и ненадейно – те са почнали да работят по основаването на новия способ преди 5 години, като са нараснали разноските си за научноизследователска и развойна активност с към 77%. Благодарение на положителния мениджмънт и разбирането на задачата, всичко се получило сполучливо и задачата била изпълнена. И Tokyo Electron не счита да спре дотук и възнамерява да влага към 1,34 милиарда $ в нови проучвания, а облагата през 2024 година ще бъде малко по-малка от тази през 2023 година

Сред другите достижения на Tokyo Electron е потреблението на изкуствен интелект при създаването на новите материали и дизайна. Благодарение на разнообразни усъвършенствания на процеса, идващото потомство машина за ецване може да обезпечи ецване с дълбочина 10 µm и с огромно съответствие на страните единствено за 33 минути. Това е три пъти по-бързо от която и да е от конкурентните системи. Разработката е освен доста техническо усъвършенстване, само че и доста усилва продуктивността на оборудването за произвеждане на 3D NAND памет, което може да промени времето за произвеждане и качеството на продукцията на 3D NAND устройствата.

Първите 400-слойни 3D NAND модули памет ще бъдат налични след 2-3 години. Най-напред оборудването ще бъде доставено на японските сътрудници, там ще бъде разгърната новата технология и едвам по-късно ще стартира производството на новите чипове.

Не е единствено Япония

SK hynix също работи по технологията 3D NAND. Компанията изследва опцията за произвеждане наизуст с повече от 400 пласта. Сега Hynix тества технологията, като изпраща пластини в лабораторията Tokyo Electron в Япония.

През пролетта на предходната година тази компания показа концепцията за произвеждане на 3D NAND флаш памет с над 300 пласта. Разработчиците взеха решение да усилят пропускателната дарба на чиповете от 164 MB/s на 194 MB/s. По този метод екипът на компанията съумя да усили по едно и също време плътността на записа и продуктивността. В новата 3D NAND е повишен броят на пластовете, което е разумно, а също по този начин е понижена стъпката сред тях.

В момента 300-слойните NAND чипове са най-новото достижение. Всеки пласт памет се състои от трибитови (TLC) кафези и има потенциал от 1 Tbit. Чрез увеличение на броя на пластовете плътността на клетките ще се усили от 11,55 Gbit/mm2 при 238-слойната памет до над 20 Gbit/mm2.

Между другото, китайците също означават прогрес. През 2023 година, през есента, YMTC показа на пазара флаш паметта с максимален потенциал в света (готова за употреба) по това време. Става дума за 232-слойна QLC 3D NAND. Рекордът тук не е в броя на пластовете – няколко компании съумяха да реализират сходна цифра в чипа. Става дума за опцията да се съхраняват 4, а не 3 бита информация в една клетка. Съответно плътността на запис на модула се е нараснала и е достигнала 19,8 Gbit на квадратен милиметър.

Освен това Micron, Solidigm, Samsung също работят в тази промишленост. Последната също напредна задоволително и евентуално скоро ще може да показа лична най-съвременна технология. Южнокорейската корпорация не се концентрира върху 232-слойните чипове и стартира да създава по-усъвършенствани чипове – от 300 пласта и нагоре. Това е доста достижение в областта на флаш паметите за SSD дисковете.