Crossbar и Mobiveil работят над твърдотелни ReRAM памети
Както е известно, на този стадий от развиването на компютърните технологии, главният вид енергонезависима памет за твърдотелните дискове е NAND флаш-паметта. Въпреки това, тази флаш-памет не е лишена от дефекти и главният измежду тях е лимитираният брой цикли на презапис. Като се има поради това, доста от производителите работят над различни типове енергонезависима памет, само че максимален триумф обаче са постигнали фирмите Intel и Micron със своята 3D XPoint памет, пускайки на нейна база първите всеобщи решения за потребителските и корпоративни пазари през първото тримесечие на настоящата година.
В другата опция на сегашната NAND flash може да се трансформира резистивната памет с случаен достъп ReRAM (Resistive random-access memory). Основният принцип в работата й се крие в смяната на съпротивлението на някои диелектрици, след използването върху тях на високо напрежение, заради което се образуват токопроводящи сектори с ниско противодействие. С помощта на съответните равнища на напрежението, проводящите сектори могат да бъдат унищожени (и материалът още веднъж ще се трансформира в диелектрик), като по този начин се образува още веднъж (и материалът още веднъж ще се трансформира в проводник).
Един от пионерите в региона на създаването и производството на ReRAM е американската компания Crossbar, която още през 2013 година показа пробни мостри на такава памет. А напълно неотдавна, при започване на 2017 година, стартира стартирането на микросхемите Crossbar ReRAM за вградените решения на производителя Semiconductor Manufacturing International Corporation.
Сега стана известно, че Crossbar взаимно с друга американска компания Mobiveil се занимават с много амбициозна задача — внедряването на ReRAM технологиите във форм-фактор SSD. Mobiveil към този момент има опит в създаването на контролерите PCI-E 3.0, тъй че за логиките в новите SSD ще дават отговор точно те. На слайда са показани красиви числа — нарастването на индикатора IOPS с 10 пъти и с толкоз понижаване на забавянето при четене/запис спрямо класическите SSD. Но ще стигне ли тази технология до всеобщия пазар и в какъв формат — единствено времето ще покаже.
В другата опция на сегашната NAND flash може да се трансформира резистивната памет с случаен достъп ReRAM (Resistive random-access memory). Основният принцип в работата й се крие в смяната на съпротивлението на някои диелектрици, след използването върху тях на високо напрежение, заради което се образуват токопроводящи сектори с ниско противодействие. С помощта на съответните равнища на напрежението, проводящите сектори могат да бъдат унищожени (и материалът още веднъж ще се трансформира в диелектрик), като по този начин се образува още веднъж (и материалът още веднъж ще се трансформира в проводник).
Един от пионерите в региона на създаването и производството на ReRAM е американската компания Crossbar, която още през 2013 година показа пробни мостри на такава памет. А напълно неотдавна, при започване на 2017 година, стартира стартирането на микросхемите Crossbar ReRAM за вградените решения на производителя Semiconductor Manufacturing International Corporation.
Сега стана известно, че Crossbar взаимно с друга американска компания Mobiveil се занимават с много амбициозна задача — внедряването на ReRAM технологиите във форм-фактор SSD. Mobiveil към този момент има опит в създаването на контролерите PCI-E 3.0, тъй че за логиките в новите SSD ще дават отговор точно те. На слайда са показани красиви числа — нарастването на индикатора IOPS с 10 пъти и с толкоз понижаване на забавянето при четене/запис спрямо класическите SSD. Но ще стигне ли тази технология до всеобщия пазар и в какъв формат — единствено времето ще покаже.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ